IXBH20N300 データシート(PDF) - IXYS Corporation

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IXBH20N300 データシート (PDF) - IXYS Corporation

IXBH20N300 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXBH20N300

ダウンロード	IXBH20N300 ダウンロード

ファイルサイズ	180.26 Kbytes

ページ	5 Pages

メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH20N300 Datasheet (PDF)

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IXBH20N300 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXBH20N300

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メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH20N300 データシート (HTML) - IXYS Corporation

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IXBH20N300 製品詳細

Features
● High Blocking Voltage
● Anti-Parallel Diode
● International Standard Packages
● Low Conduction Losses

Advantages
● Low Gate Drive Requirement
● High Power Density

Applications:
● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
● Uninterruptible Power Supplies (UPS)
● Laser Generators
● Capacitor Discharge Circuits
● AC Switches

同様の部品番号 - IXBH20N300

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXBH20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

同様の説明 - IXBH20N300

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXBH16N170	182Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBR42N170	175Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA16N170AHV	168Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH24N170	181Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBN42N170A	206Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF32N300	201Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBA14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBK55N300	221Kb / 6P	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH42N170	581Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXYS Corporation について

Ixys Corporationは、電力半導体および統合サーキット（IC）の設計、製造、販売を専門とするテクノロジー企業です。同社は1983年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置いています。 Ixysには世界的な存在感があり、世界中の60か国以上の運営と顧客がいます。

Ixysは、電力管理および制御アプリケーションのために、パワーMOSFET、パワーバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ダイオード、ICSなど、幅広い製品とソリューションを提供します。同社の製品は、再生可能エネルギー、産業、自動車、家電など、さまざまなアプリケーションで使用されています。

Ixysは、電力半導体テクノロジーの専門知識と、顧客に高性能で費用対効果の高いソリューションを提供する能力で知られています。同社はイノベーションと研究開発に取り組んでおり、パワー半導体市場向けの新しいテクノロジーとソリューションの開発に積極的に関与しています。 Ixysは、Power Semiconductor Marketのリーダーであり、顧客に高品質の製品とサービスを提供し続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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