BF1100 データシート(PDF) - NXP Semiconductors

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BF1100 データシート (PDF) - NXP Semiconductors

BF1100 Datasheet PDF - NXP Semiconductors


部品番号	BF1100

ダウンロード	BF1100 ダウンロード

ファイルサイズ	159.54 Kbytes

ページ	14 Pages

メーカー	PHILIPS [NXP Semiconductors]

ホームページ	http://www.nxp.com

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部品情報	Dual-gate MOS-FETs

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メーカー	PHILIPS [NXP Semiconductors]

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BF1100 製品詳細

DESCRIPTION
Enhancement type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT143 or SOT143R package. The transistor consists of an amplifier MOS-FET with source and substrate interconnected and an internal bias circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC.

FEATURES
• Specially designed for use at 9 to 12 V supply voltage
• Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio
• Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz
• Superior cross-modulation performance during AGC.

APPLICATIONS
• VHF and UHF applications such as television tuners and professional communications equipment.

同様の部品番号 - BF1100

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	BF1100	311Kb / 15P	Dual-gate MOS-FETs Rev. 02-13 November 2007
	BF1100R	311Kb / 15P	Dual-gate MOS-FETs Rev. 02-13 November 2007
	BF1100WR	146Kb / 14P	Dual-gate MOS-FET 1995 Apr 25
	BF1100WR	471Kb / 16P	Dual-gate MOS-FET 1995 Apr 25
Quanzhou Jinmei Electro...	BF1100WR	106Kb / 14P	Dual-gate MOS-FET

同様の説明 - BF1100

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	BF908	87Kb / 8P	Dual-gate MOS-FETs 1996 Jul 30
NXP Semiconductors	BF908	258Kb / 9P	Dual-gate MOS-FETs Rev. 03-14 November 2007
Quanzhou Jinmei Electro...	BF908-R	264Kb / 9P	Dual-gate MOS-FETs
	BF1100	115Kb / 14P	Dual-gate MOS-FETs
	BF1100_2015	115Kb / 14P	Dual-gate MOS-FETs
NXP Semiconductors	BF1100	311Kb / 15P	Dual-gate MOS-FETs Rev. 02-13 November 2007
Quanzhou Jinmei Electro...	BF908-R_2015	264Kb / 9P	Dual-gate MOS-FETs
NXP Semiconductors	BF1102	133Kb / 16P	Dual N-channel dual gate MOS-FETs 2000 Apr 11
Quanzhou Jinmei Electro...	BF1105_2015	125Kb / 16P	N-channel dual-gate MOS-FETs
Quanzhou Jinmei Electro...	BF1109_2015	120Kb / 16P	N-channel dual-gate MOS-FETs

NXP Semiconductors について

NXP Semiconductorsは、自動車、産業、通信、消費者市場など、さまざまなアプリケーション向けの幅広い半導体および統合サーキットを設計、開発、製造する公開された多国籍企業です。
同社は2006年に設立され、オランダのアインドホーフェンに本社を置いています。
NXPは、マイクロコントローラー、マイクロプロセッサ、セキュア認証IC、電源管理ICS、RFおよびマイクロ波コンポーネント、センサーソリューションなど、製品の幅広いポートフォリオを提供します。
同社の製品は、エネルギー効率が高く、安全で、信頼性が高いように設計されており、自動車システム、産業用自動化と制御、スマートホームと建物、接続されたデバイスなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。
NXPはイノベーションと顧客満足度に専念しており、ニーズを満たすために顧客に最適な半導体ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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