RJK0214DPA データシート(PDF) - Renesas Technology Corp

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RJK0214DPA データシート (PDF) - Renesas Technology Corp

RJK0214DPA Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


部品番号	RJK0214DPA

ダウンロード	RJK0214DPA ダウンロード

ファイルサイズ	260.8 Kbytes

ページ	11 Pages

メーカー	RENESAS [Renesas Technology Corp]

ホームページ	http://www.renesas.com

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部品情報	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

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メーカー	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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部品情報	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

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RJK0214DPA 製品詳細

Features
• Low on-resistance
• Capable of 4.5 V gate drive
• High density mounting
• Pb-free
• Halogen-free

Applications
DC-DC conversion for PC and Server.

同様の部品番号 - RJK0214DPA

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Renesas Technology Corp	RJK0210DPA	71Kb / 4P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0210DPA	133Kb / 7P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0210DPA-00-J53	71Kb / 4P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0210DPA-00-J5A	133Kb / 7P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0210DPA	133Kb / 7P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

同様の説明 - RJK0214DPA

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Renesas Technology Corp	RJK0215DPA	271Kb / 11P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0389DPA	113Kb / 5P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	HAT2126RP	263Kb / 17P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0383DPA	114Kb / 5P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	HAT2285WP	130Kb / 10P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0389DPA	358Kb / 11P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	HAT2210R	116Kb / 12P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0230DPA	221Kb / 11P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	HAT2285WP	115Kb / 10P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0223DNS	81Kb / 5P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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