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FSTJ9055R1 データシート (PDF) - Intersil Corporation

FSTJ9055R1 Datasheet PDF - Intersil Corporation
部品番号 FSTJ9055R1
ダウンロード  FSTJ9055R1 ダウンロード

ファイルサイズ   72.59 Kbytes
ページ   8 Pages
メーカー  INTERSIL [Intersil Corporation]
ホームページ  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
部品情報 Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs

FSTJ9055R1 Datasheet (PDF)

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FSTJ9055R1 Datasheet PDF - Intersil Corporation

部品番号 FSTJ9055R1
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ページ   8 Pages
メーカー  INTERSIL [Intersil Corporation]
ホームページ  http://www.intersil.com/cda/home
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部品情報 Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs

FSTJ9055R1 データシート (HTML) - Intersil Corporation

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FSTJ9055R1 製品詳細

The Discrete Products Operation of Intersil has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Immunity to Single Event Effects (SEE) is combined with 100K RADs of total dose hardness to provide devices which are ideally suited to harsh space environments. The dose rate and neutron tolerance necessary for military applications have not been sacrificed.

Features
• 62A, -60V, rDS(ON) = 0.023Ω
• Total Dose
    - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)
• Single Event
    - Safe Operating Area Curve for Single Event Effects
    - SEE Immunity for LET of 36MeV/mg/cm2 with VDS up to 80% of Rated Breakdown and VGS of 10V Off-Bias
• Dose Rate
    - Typically Survives 3E9 RAD (Si)/s at 80% BVDSS
    - Typically Survives 2E12 if Current Limited to IDM
• Photo Current
    - 6nA Per-RAD(Si)/s Typically
• Neutron
    - Maintain Pre-RAD Specifications for 3E13 Neutrons/cm2
    - Usable to 3E14 Neutrons/cm2




同様の部品番号 - FSTJ9055R1

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Schurter Inc.
FST SCHURTER-FST Datasheet
75Kb / 2P
   Miniature Fuses Type FST 6,332 time-lag T
logo
Ohmite Mfg. Co.
FST OHMITE-FST Datasheet
246Kb / 1P
   Thin Film Temperature Sensor
logo
Vishay Siliconix
FST VISHAY-FST Datasheet
154Kb / 6P
   Wirewound Resistor, Industrial Power, Silicone Coated, Fixed Tubular
logo
Gamewell-FCI by Honeywe...
FST-10 GAMEWELL-FCI-FST-10 Datasheet
53Kb / 2P
   Duct Housing, 4-wire, less detector head
FST-2 GAMEWELL-FCI-FST-2 Datasheet
53Kb / 2P
   Duct Housing, 4-wire, less detector head
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同様の説明 - FSTJ9055R1

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Intersil Corporation
FSYE913A0D INTERSIL-FSYE913A0D Datasheet
73Kb / 9P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
February 2000
FSYE923A0D INTERSIL-FSYE923A0D Datasheet
70Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
June 2000
FSYC9160D INTERSIL-FSYC9160D Datasheet
61Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
July 1998
FSTYC9055D INTERSIL-FSTYC9055D Datasheet
74Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
June 2000
FSYA9150D INTERSIL-FSYA9150D Datasheet
56Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
October 1998
FSYC9055D INTERSIL-FSYC9055D Datasheet
51Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs
July 1999
FSJ163D INTERSIL-FSJ163D Datasheet
56Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
June 1999
FSYC055D INTERSIL-FSYC055D Datasheet
49Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
July 1998
FSYE430D INTERSIL-FSYE430D Datasheet
58Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
June 1999
FSYA450D INTERSIL-FSYA450D Datasheet
56Kb / 8P
   Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs
March 1999
More results




Intersil Corporation について


Intersil Corporationは、高性能アナログと混合シグナル統合回路の設計と製造に特化したアメリカの半導体会社でした。
同社は1967年に設立され、電力管理、データ変換、無線頻度(RF)テクノロジーの専門知識で知られています。
Intersilの製品は、家電、産業、通信、航空宇宙と防衛などの幅広いアプリケーションで使用されていました。
2016年、Intersilは日本の半導体会社であるRenesas Electronics Corporationに買収されました。
Intersilのブランドとテクノロジーは、Renesasの製品ポートフォリオの一部として開発および販売され続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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