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MCTV35P60F1D データシート (PDF) - Intersil Corporation

MCTV35P60F1D Datasheet PDF - Intersil Corporation
部品番号 MCTV35P60F1D
ダウンロード  MCTV35P60F1D ダウンロード

ファイルサイズ   53.89 Kbytes
ページ   5 Pages
メーカー  INTERSIL [Intersil Corporation]
ホームページ  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
部品情報 35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode

MCTV35P60F1D Datasheet (PDF)

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MCTV35P60F1D Datasheet PDF - Intersil Corporation

部品番号 MCTV35P60F1D
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ファイルサイズ   53.89 Kbytes
ページ   5 Pages
メーカー  INTERSIL [Intersil Corporation]
ホームページ  http://www.intersil.com/cda/home
Logo INTERSIL - Intersil Corporation
部品情報 35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT) with Anti-Parallel Diode

MCTV35P60F1D データシート (HTML) - Intersil Corporation

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MCTV35P60F1D 製品詳細

Description
The MCT is an MOS Controlled Thyristor designed for switching currents on and off by negative and positive pulsed control of an insulated MOS gate. It is designed for use in motor controls, inverters, line switches and other power switching applications. The MCT is especially suited for resonant (zero voltage or zero current switching) applications. The SCR like forward drop greatly reduces conduction power loss.
MCTs allow the control of high power circuits with very small amounts of input energy. They feature the high peak current capability common to SCR type thyristors, and operate at junction temperatures up to +150oC with active switching. This device features a discrete anti-parallel diode that shunts current around the MCT in the reverse direction without introducing carriers into the depletion region.

Features
• 35A, -600V
• VTM = -1.35V (Max) at I = 35A and +150°C
• 800A Surge Current Capability
• 800A/µs di/dt Capability
• MOS Insulated Gate Control
• 50A Gate Turn-Off Capability at +150°C
• Anti-Parallel Diode




同様の部品番号 - MCTV35P60F1D

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Intersil Corporation
MCTV65P100F1 INTERSIL-MCTV65P100F1 Datasheet
46Kb / 5P
   65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
MCTV75P60E1 INTERSIL-MCTV75P60E1 Datasheet
50Kb / 5P
   75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
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同様の説明 - MCTV35P60F1D

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Intersil Corporation
MCTG35P60F1 INTERSIL-MCTG35P60F1 Datasheet
50Kb / 5P
   35A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
MCTV75P60E1 INTERSIL-MCTV75P60E1 Datasheet
50Kb / 5P
   75A, 600V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
MCT3A65P100F2 INTERSIL-MCT3A65P100F2 Datasheet
67Kb / 8P
   65A, 1000V, P-Type MOS-Controlled Thyristor (MCT)
MCTV65P100F1 INTERSIL-MCTV65P100F1 Datasheet
46Kb / 5P
   65A, 1000V P-Type MOS Controlled Thyristor (MCT)
logo
IXYS Corporation
IXHX40N150V1HV IXYS-IXHX40N150V1HV Datasheet
180Kb / 4P
   1500V MOS Gated Thyristor w/ Anti-Parallel Diode
MMIX1H60N150V1 IXYS-MMIX1H60N150V1 Datasheet
207Kb / 5P
   1500V MOS Gated Thyristor w/ Anti-Parallel Diode
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Nell Semiconductor Co.,...
NK100KQ NELLSEMI-NK100KQ Datasheet
825Kb / 5P
   Anti-parallel Thyristor Module
logo
Intersil Corporation
HGTG15N120C3D INTERSIL-HGTG15N120C3D Datasheet
101Kb / 9P
   35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
May 1997
HGTG10N120BND INTERSIL-HGTG10N120BND Datasheet
82Kb / 7P
   35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
January 2000
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Fairchild Semiconductor
HGTG10N120BND FAIRCHILD-HGTG10N120BND Datasheet
110Kb / 8P
   35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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Intersil Corporation について


Intersil Corporationは、高性能アナログと混合シグナル統合回路の設計と製造に特化したアメリカの半導体会社でした。
同社は1967年に設立され、電力管理、データ変換、無線頻度(RF)テクノロジーの専門知識で知られています。
Intersilの製品は、家電、産業、通信、航空宇宙と防衛などの幅広いアプリケーションで使用されていました。
2016年、Intersilは日本の半導体会社であるRenesas Electronics Corporationに買収されました。
Intersilのブランドとテクノロジーは、Renesasの製品ポートフォリオの一部として開発および販売され続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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