VBT5200 データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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VBT5200 データシート (PDF) - Vishay Siliconix

VBT5200 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	VBT5200

ダウンロード	VBT5200 ダウンロード

ファイルサイズ	148.1 Kbytes

ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

Logo

部品情報	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

VBT5200 Datasheet (PDF)

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部品番号	VBT5200

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メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

VBT5200 データシート (HTML) - Vishay Siliconix

VBT5200 製品詳細

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
(for TO-220AC, ITO-220AC and TO-262AA package)

同様の部品番号 - VBT5200

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	VBT5200	133Kb / 5P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 09-Dec-09
	VBT5200	138Kb / 5P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 14-Aug-13
	VBT5200-E3	146Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A Revision: 12-Dec-16
	VBT5200-E3-4W	133Kb / 5P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 09-Dec-09
	VBT5200-E3-8W	133Kb / 5P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 09-Dec-09

同様の説明 - VBT5200

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	VT5200-E3	146Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A Revision: 12-Dec-16
	VT10200C-M3	158Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A Revision: 01-Dec-16
	V30100PW-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A Revision: 20-Dec-13
	V20M120M-E3	98Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5 A Revision: 11-May-16
	VBT1045C-E3	90Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A Revision: 09-Sep-13
	VE1045C-E3	133Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.37 V at IF = 2.5 A Revision: 20-Dec-13
	VFT1045C-M3	88Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A Revision: 22-Nov-13
	VT1045C-M3	135Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A Revision: 12-May-16
	VBT1045C-M3	102Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A Revision: 30-Apr-13
	VFT3080S-M3	89Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Revision: 11-Sep-13

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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