PTF181301 データシート(PDF) - Infineon Technologies AG

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PTF181301 データシート (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF181301 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG


部品番号	PTF181301

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メーカー	INFINEON [Infineon Technologies AG]

ホームページ	http://www.infineon.com

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部品情報	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz

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メーカー	INFINEON [Infineon Technologies AG]

ホームページ	http://www.infineon.com

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部品情報	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz

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PTF181301 製品詳細

Description
The PTF181301 is a 130 W, internally matched GOLDMOS FET intended for GSM and EDGE applications in the 1805 to 1880 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical EDGE performance
- Average output power = 55 W
- Gain = 15.5 dB
- Efficiency = 32%
- EVM = 1.7%
• Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 150 W
- Gain = 14.5 dB
- Efficiency = 47%
• Integrated ESD protection: Human Body
Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
130 W (CW) output power

同様の部品番号 - PTF181301

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Infineon Technologies A...	PTF180101	310Kb / 10P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz 2004-02-03
	PTF180101M	314Kb / 8P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 1.0 ??2.0 GHz Rev. 05.1, 2009-02-18
	PTF180101S	310Kb / 10P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz 2004-02-03
	PTF180101S	209Kb / 10P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz Rev. P03, 2007-03-01
	PTF180601	233Kb / 11P	LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 2004-05-03

同様の説明 - PTF181301

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Infineon Technologies A...	PTFB183404E	911Kb / 18P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistors 340 W, 1805 ??1880 MHz Rev. 04.1, 2016-06-10
Infineon Technologies A...	PTFB183404E	727Kb / 18P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistors 340 W, 1805 ??1880 MHz Rev. 04, 2010-11-17
Cree, Inc	PTFB183404E	649Kb / 18P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistors 340 W, 1805 ??1880 MHz
TriQuint Semiconductor	AGR18060E	426Kb / 9P	60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor
Infineon Technologies A...	PTF180101S	209Kb / 10P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz Rev. P03, 2007-03-01
	PTF180101	310Kb / 10P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz 2004-02-03
	PTF211301	449Kb / 9P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz 2004-01-02
	PTF180601	233Kb / 11P	LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 2004-05-03
	PTFA182001E	260Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 1805 - 1880 MHz Rev. 01, 2008-03-12
	PTFA181001GL	325Kb / 11P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 100 W, 1805 ??1880 MHz Rev. 01, 2008-06-15

Infineon Technologies AG について

Infineon Technologiesは、自動車、産業、通信システムなど、さまざまな業界に電力管理、セキュリティ、および制御ソリューションを提供することを専門とするグローバルな半導体メーカーです。
同社は1999年に設立され、ドイツのノイビバーグに本社を置いています。
Infineonは、マイクロコントローラー、パワー半導体、センサー、その他の統合回路を含む幅広い製品を提供しています。
同社は世界市場で強い存在感を抱いており、世界中のさまざまな国の運営と施設があります。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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