IRF740 データシート, PDF

IRF740は、高電力スイッチングおよび増幅アプリケーションのために電子回路で一般的に使用される電力MOSFET（金属酸化系光導体フィールド効果トランジスタ）です。これは、IRFシリーズのパワーMOSFETの一部であり、高流と電圧を処理する能力で知られています。 IRF740 MOSFETのいくつかの重要な機能と仕様を次に示します。

極性：Nチャネル。

IRF740はNチャネルMOSFETです。つまり、電子流量を使用して電流を制御します。
ドレインソース電圧（VDS）：通常、400Vの定格。

MOSFETがオフ状態にあるときに、ドレイン端子とソース端子の間に適用できる最大電圧。
連続排水電流（ID）：通常、10aの定格。

MOSFETが状態で継続的に処理できる最大電流。
オン耐性（RDS（オン）：通常は低く、多くの場合、MillioHMSの範囲があります。

MOSFETが完全にオンになっているときのドレイン端子とソース端子の間の抵抗。
ゲートしきい値電圧（VGS（TH））：通常、約2V〜4V。

MOSFETをオンにするために必要な電圧。
ゲートソース電圧（VGS）：通常、±20Vまで定格。

ゲート端子とソース端子間で適用できる最大電圧。
パッケージ：IRF740は通常、TO-220またはTO-220ABパッケージで利用可能であり、冷却のためのヒートシンクへの熱性能と取り付けの容易さを提供します。

アプリケーション：IRF740 MOSFETは、電源の切り替え、モーターコントロール回路、アンプ出力段階、および高電流スイッチングを必要とするその他のアプリケーションなど、高出力アプリケーションで一般的に使用されています。

熱散逸：IRF740は動作中に熱を発生させる可能性があるため、高電力用途にはヒートシンクを含む適切な熱管理が必要になる場合があります。

雪崩エネルギー評価：IRF740には雪崩エネルギー評価があり、これはMOSFETが過渡電圧スパイク中に安全に吸収できるエネルギー量を指定します。

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