DRAIN Datasheet(PDF) - 152810 - Festo Corporation.

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DRAIN とは

エレクトロニクスでは、「Drain」は、MOSFET（金属酸化物 - 陰導体フィールド効果トランジスタ）などの一部の半導体デバイスで使用される用語です。

MOSFETは、電圧を制御することで電流が流れることを可能にする半導体デバイスであり、主に切り替えと増幅に使用されます。 MOSFETには3つのピンがあり、そのうちの1つは「排水」ピンです。他の2つのピンは「ゲート」と「ソース」です。

排水（排水）：排水はMOSFETの出力ピンであり、電流はこのピンを通してデバイスを離れます。ドレインピンは、MOSFETのチャネルが形成される部分として電流を収集するのに役立ちます。通常、電気接続は、MOSFETのドレインピンと回路の電源または負荷の間です。

ゲート（ゲート）：ゲートはMOSFETのコントロールピンです。このピンに電圧が適用されると、チャネルの伝導を制御することにより、ドレインとソースの間の電流の流れを調節します。

ソース（ソース）：ソースはMOSFETの入力ピンであり、電流はこのピンに入ります。チャネルの導電率は、ゲートに適用される電圧に応じて変化します。したがって、電流はドレインとソースの間を流れます。

MOSFETは、主に電力変換、スイッチング回路、およびアンプ回路で、さまざまなアプリケーションで使用されます。排水は、MOSFETの動作を制御する上で重要な役割を果たします。これにより、MOSFETは、適用された電圧とゲートに適用される電圧に応じて、チャネルの伝導を制御し、電流を許可またはブロックすることにより、さまざまな機能を実行できます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Festo Corporation.	152810	59Kb/1P	Condensate drain 4/5/22
	538680	75Kb/2P	Condensate drain 4/5/22
	158497	59Kb/1P	Condensate drain 4/5/22
	538681	75Kb/2P	Condensate drain 4/5/22
	538679	75Kb/2P	Condensate drain 4/5/22
Panasonic Semiconductor	MIP2E5DMY	191Kb/3P	Control Source Drain
Toshiba Semiconductor	TC7SG05FE	249Kb/7P	Inverter (Open Drain) 2013-03-01
Toshiba Semiconductor	TC7SZ05F	157Kb/5P	INVERTER (OPEN DRAIN)
New Jersey Semi-Conduct...	BUZ80A	88Kb/3P	Drain source voltage
List of Unclassifed Man...	PT3601	211Kb/1P	open drain output
New Jersey Semi-Conduct...	ZVN0106A	85Kb/1P	Drain-source voltage
Toshiba Semiconductor	TC7SH05FS	177Kb/6P	INVERTER (Open Drain) 2014-03-01
	TC7SG05AFS	266Kb/7P	Inverter (Open Drain) 2013-03-01
	TC7SH05FE	151Kb/6P	INVERTER (Open Drain) 2009-09-30
	TC7SA05F	207Kb/8P	Inverter (Open Drain)
	TC7SZ05AFS	158Kb/6P	INVERTER (Open Drain)
New Jersey Semi-Conduct...	2N5265	157Kb/1P	DRAIN-SOURCE VOLTAGE
	2N5460	122Kb/1P	DRAIN-GATE VOLTAGE
	2N3970	164Kb/1P	DRAIN-SOURCE VOLTAGE
Toshiba Semiconductor	TC7SZ05F	175Kb/7P	Inverter (Open Drain)

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