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2SK3561 データシート (PDF) - Toshiba Semiconductor

2SK3561 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor
部品番号 2SK3561
ダウンロード  2SK3561 ダウンロード

ファイルサイズ   227.46 Kbytes
ページ   6 Pages
メーカー  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
ホームページ  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
部品情報 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)

2SK3561 Datasheet (PDF)

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2SK3561 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor

部品番号 2SK3561
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ファイルサイズ   227.46 Kbytes
ページ   6 Pages
メーカー  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
ホームページ  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
Logo TOSHIBA - Toshiba Semiconductor
部品情報 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)

2SK3561 データシート (HTML) - Toshiba Semiconductor

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2SK3561 製品詳細

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V)
• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)




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