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ISL70023SEHX/SAMPLE データシート (PDF) - Renesas Technology Corp
ISL70023SEHX/SAMPLE Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部品番号 ISL70023SEHX/SAMPLE
ダウンロード  ISL70023SEHX/SAMPLE ダウンロード
ファイルサイズ   564.94 Kbytes
ページ   13 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

ISL70023SEHX/SAMPLE Datasheet (PDF)

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ISL70023SEHX/SAMPLE Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部品番号 ISL70023SEHX/SAMPLE
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ファイルサイズ   564.94 Kbytes
ページ   13 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

ISL70023SEHX/SAMPLE データシート (HTML) - Renesas Technology Corp


ISL70023SEHX/SAMPLE 製品詳細

Features
• Very low rDS(ON) 5mΩ (typical)
• Ultra low total gate charge 14nC (typical)
• SEE hardness (see SEE report for details)
• SEL/SEB LETTH (VDS = 100V, VGS = 0V):
86MeV•cm2/mg
• ISL70023SEH radiation accepting testing
• High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)
• Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
• ISL73023SEH radiation accepting testing
• Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
• Ultra small hermetically sealed 4 Ld Surface Mount
Device (SMD) package
• Package area: 42mm2
• Full military-temperature range operation
• TA = -55°C to +125°C
• TJ = -55°C to +150°C




同様の部品番号 - ISL70023SEHX/SAMPLE

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Renesas Technology Corp		 ISL70023SEHX/SAMPLE RENESAS-ISL70023SEHX/SAMPLE Datasheet
527Kb / 14P		 100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor
Mar 28, 2024
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同様の説明 - ISL70023SEHX/SAMPLE

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Unisonic Technologies		 UTT60N10 UTC-UTT60N10 Datasheet
129Kb / 3P		 60A, 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET TRANSISTOR
logo
Jiangsu Donghai Semicon...		 60N10 WXDH-60N10 Datasheet
714Kb / 10P		 60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
B60N10 WXDH-B60N10 Datasheet
719Kb / 10P		 60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
E60N10 WXDH-E60N10 Datasheet
714Kb / 10P		 60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
F60N10 WXDH-F60N10 Datasheet
715Kb / 10P		 60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
I60N10 WXDH-I60N10 Datasheet
714Kb / 10P		 60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
logo
Rohm		 GNP1070TC-Z ROHM-GNP1070TC-Z Datasheet
1Mb / 12P		 GaN Enhancement Mode Power Transistor
2023.04.18 - Rev.005
GNP1150TCA-Z ROHM-GNP1150TCA-Z Datasheet
1Mb / 12P		 GaN Enhancement Mode Power Transistor
2023.04.18 - Rev.005
logo
GaN Systems Inc.		 GS61004B GAN-GS61004B Datasheet
849Kb / 14P		 100V enhancement mode GaN transistor
Rev. 180419
logo
Rohm		 GNE1008TB ROHM-GNE1008TB Datasheet
1Mb / 6P		 GaN Enhancement Mode Power Transistor
26.Jun.2023 Rev.003
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Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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