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MTV20N50E データシート (PDF) - Motorola, Inc

MTV20N50E Datasheet PDF - Motorola, Inc
部品番号 MTV20N50E
ダウンロード  MTV20N50E ダウンロード

ファイルサイズ   273.05 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  MOTOROLA [Motorola, Inc]
ホームページ  http://www.freescale.com
Logo MOTOROLA - Motorola, Inc
部品情報 TMOS POWER FET 20 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.240 OHM

MTV20N50E Datasheet (PDF)

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MTV20N50E Datasheet PDF - Motorola, Inc

部品番号 MTV20N50E
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ファイルサイズ   273.05 Kbytes
ページ   10 Pages
メーカー  MOTOROLA [Motorola, Inc]
ホームページ  http://www.freescale.com
Logo MOTOROLA - Motorola, Inc
部品情報 TMOS POWER FET 20 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.240 OHM

MTV20N50E データシート (HTML) - Motorola, Inc

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MTV20N50E 製品詳細

TMOS E−FET Power Field Effect Transistor D3PAK for Surface Mount
N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate

The D3PAK package has the capability of housing the largest chip size of any standard, plastic, surface mount power semiconductor. This allows it to be used in applications that require surface mount components with higher power and lower RDS(on) capabilities. This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to– source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in surface mount PWM motor controls and both ac–dc and dc–dc power supplies. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Robust High Voltage Termination
• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Short Heatsink Tab Manufactured – Not Sheared
• Specifically Designed Leadframe for Maximum Power Dissipation
• Available in 24 mm, 13–inch/500 Unit Tape & Reel, Add –RL Suffix to Part Number




同様の部品番号 - MTV20N50E

メーカー部品番号データシート部品情報
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ON Semiconductor
MTV20N50E ONSEMI-MTV20N50E Datasheet
287Kb / 11P
   Power Field Effect Transistor
August, 2006 ??Rev. 1
logo
Inchange Semiconductor ...
MTV20N50E ISC-MTV20N50E Datasheet
297Kb / 2P
   isc N-Channel MOSFET Transistor
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同様の説明 - MTV20N50E

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Motorola, Inc
MTW20N50E MOTOROLA-MTW20N50E Datasheet
193Kb / 8P
   TMOS POWER FET 20 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.24 OHM
MTD2N50E MOTOROLA-MTD2N50E Datasheet
299Kb / 10P
   TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM
MTP2P50E MOTOROLA-MTP2P50E Datasheet
230Kb / 8P
   TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM
MTE30N50E MOTOROLA-MTE30N50E Datasheet
229Kb / 8P
   TMOS POWER FET 30 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.150 OHM
MTE53N50E MOTOROLA-MTE53N50E Datasheet
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MTP1N50E MOTOROLA-MTP1N50E Datasheet
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MTV16N50E MOTOROLA-MTV16N50E Datasheet
276Kb / 10P
   TMOS POWER FET 16 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.40 OHM
MTW14N50E MOTOROLA-MTW14N50E Datasheet
205Kb / 8P
   TMOS POWER FET 14 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.40 OHM
MTP2N50E MOTOROLA-MTP2N50E Datasheet
244Kb / 8P
   TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM
MTP8N50E MOTOROLA-MTP8N50E Datasheet
158Kb / 6P
   TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.8 OHM
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Motorola, Inc について


Motorola、Inc。は、1928年に設立されたアメリカの多国籍電気通信会社でした。イリノイ州シャンバーグに本社を置き、携帯電話、通信機器、半導体の最大のプロバイダーの1つでした。その歴史を通じて、モトローラは、世界初の市販の携帯電話であるDynatac、および世界初の双方向のページャーであるThe PageBoyの開発など、通信の分野での革新で知られていました。

2011年、MotorolaはMotorola MobilityとMotorola Solutionsの2つの別個の企業に分かれました。 Motorola Mobilityは後に2012年にGoogleに買収され、現在はLenovoの子会社です。 Motorola Solutionsは、公安と商業および産業コミュニケーションソリューションに焦点を当てています。同社は、双方向ラジオ、モバイルコンピューティングデバイス、ネットワークインフラストラクチャ機器など、幅広い製品を提供しています。

Motorolaは携帯電話業界の先駆者の1人であり、革新と技術の進歩の豊かな歴史を持っています。同社の遺産は子会社を通じて継続され、その技術と製品は引き続き世界中で使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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