2SK3561 datasheet(4/6 Pages) TOSHIBA

部品番号	2SK3561

部品情報	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)

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メーカー	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

ホームページ	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

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2SK3561

2005-01-26

4

RDS (ON) – Tc

DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)

CAPACITANCE – VDS

COMMON SOURCE

VGS = 0 V

f

= 1 MHz

Tc

= 25°C

1

0.1

10

100

1000

10000

1

10

100

Ciss

Coss

Crss

160

−40

0

40

80

120

−80

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

ID = 8 A

2

4

CASE TEMPERATURE Tc (°C)

COMMON SOURCE

VGS = 10 V

PULSE TEST

CASE TEMPERATURE Tc (°C)

PD – Tc

60

0

40

80

120

160

20

40

IDR – VDS

DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)

COMMON SOURCE

Tc

= 25°C

PULSE TEST

0

0.1

−0.2

1

10

100

−0.4

−0.6

−0.8

VGS = 0, −1 V

10

3

1

5

−1.0

−1.2

TOTAL GATE CHARGE Qg (nC)

DYNAMIC INPUT / OUTPUT

CHARACTERISTICS

COMMON SOURCE

ID = 8 A

Tc

= 25°C

PULSE TEST

0

10

20

VDD = 100 V

VDS

VGS

400

200

30

50

40

500

400

300

200

100

0

20

16

12

8

4

0

Vth – Tc

CASE TEMPERATURE Tc (°C)

0

1

2

3

5

−80

−40

0

40

80

120

160

4

COMMON SOURCE

VDS = 10 V

ID = 1 mA

PULSE TEST

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
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	2SK3561	210Kb / 6P	Switching Regulator Applications
	2SK3561	1Mb / 73P	Bipolar Small-Signal Transistors
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Toshiba Semiconductor	2SK3561	229Kb / 6P	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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