MA2Q739 datasheet(1/2 Pages) PANASONIC

部品番号	MA2Q739

部品情報	Silicon epitaxial planar type

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メーカー	PANASONIC [Panasonic Semiconductor]

ホームページ	http://www.panasonic.com/industrial/

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Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA2Q739

Silicon epitaxial planar type

For high-frequency rectification

I Features

• Forward current (average) I

F(AV): 0.7 A type

• Reverse voltage (DC value) V

R: 90 V

• Allowing automatic insertion with the emboss taping

I Absolute Maximum Ratings T

a = 25°C

Unit : mm

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage (DC)

VR

90

V

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

90

V

Average forward current*

1

IF(AV)

0.7

A

Non-repetitive peak forward

IFSM

10

A

surge current*

2

Junction temperature

Tj

−40 to +125

°C

Storage temperature

Tstg

−40 to +125

°C

1 : Anode

2 : Cathode

New Mini-Power Type Package (2-pin)

Note) *1 : With a printed-circuit board

*2 : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave

(non-repetitive)

Marking Symbol: PE

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Reverse current (DC)

IR

VR = 90 V

1

mA

Forward voltage (DC)

VF

IF = 0.7 A

0.8

V

Terminal capacitance

Ct

VR = 10 V, f = 1 MHz

50

pF

Reverse recovery time*

trr

IF = IR = 100 mA

100

ns

Irr = 10 mA, RL = 100 Ω

I Electrical Characteristics T

a

= 25°C

Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a

human body and the leakage of current from the operating equipment.

2. Rated input/output frequency: 10 MHz

3. * : trr measuring instrument

4.4

± 0.3

0 to 0.05

21

5.0

+ 0.4

− 0.1

1.2

± 0.4

1.2

± 0.4

Bias Application Unit N-50BU

90%

Pulse Generator

(PG-10N)

R

s = 50 Ω

W.F.Analyzer

(SAS-8130)

R

i = 50 Ω

t

p = 2 µs

t

r = 0.35 ns

δ = 0.05

I

F = 100 mA

I

R = 100 mA

R

L = 100 Ω

10%

Input Pulse

Output Pulse

I

rr = 10 mA

t

r

t

p

t

rr

V

R

I

F

t

A

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