MA2X073 datasheet(1/2 Pages) PANASONIC

部品番号	MA2X073

部品情報	Silicon epitaxial planar type

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メーカー	PANASONIC [Panasonic Semiconductor]

ホームページ	http://www.panasonic.com/industrial/

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1

Band Switching Diodes

MA2X073

Silicon epitaxial planar type

For band switching

I Features

• Low forward dynamic resistance r

f

• Less voltage dependence of diode capacitance C

D

• Mini type package, allowing downsizing of equipment and

automatic insertion through the taping package

I Absolute Maximum Ratings T

a = 25°C

Unit : mm

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage (DC)

VR

35

V

Forward current (DC)

IF

100

mA

Operating ambient temperature*

Topr

−25 to +85

°C

Storage temperature

Tstg

−55 to +150

°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Reverse current (DC)

IR

VR = 33 V

0.01

100

nA

Forward voltage (DC)

VF

IF = 100 mA

0.92

1

V

Diode capacitance

CD

VR = 6 V, f = 1 MHz

0.9

1.2

pF

Forward dynamic resistance*

rf

IF = 2 mA, f = 100 MHz

0.65

0.85

Ω

I Electrical Characteristics T

a = 25

°C

Note) 1

．Rated input/output frequency: 100 MHz

2. * : rf measuring instrument: YHP MODEL 4191A RF IMPEDANCE ANALYZER

Marking Symbol: 4B

Note) * : Maximum ambient temperature during operation

1 : Anode

2 : Cathode

Mini Type Package (2-pin)

12

3.3

± 0.2

*(3. 8

± 0.2)

2.7

+ 0.2

− 0.1

INDICATES

CATHODE

5

°

5

°

*(

): WL type

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メーカー	部品番号	データシート	部品情報
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	MA3S795E	46Kb / 2P	Silicon epitaxial planar type
	MA3X075E	41Kb / 2P	Silicon epitaxial planar type
	MA3X199	46Kb / 2P	Silicon epitaxial planar type
	MA3X789	45Kb / 2P	Silicon epitaxial planar type
	MA3ZD12	40Kb / 2P	Silicon epitaxial planar type
	MA2Q739	44Kb / 2P	Silicon epitaxial planar type
	MA2X334	45Kb / 3P	Silicon epitaxial planar type
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