STM32U545NET3QTR datasheet(173/283 Pages) STMICROELECTRONICS

部品番号	STM32U545NET3QTR

部品情報	Ultra-low-power Arm® Cortex®-M33 MCUTrustZone®FPU,240 DMIPS, 512 KB flash memory, 274 KB SRAM, crypto

PDF	283 Pages

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メーカー	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

ホームページ	http://www.st.com

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173 / 283 page

IDD(BKPSRAM)

Supply current to be

added in Standby mode

when backup SRAM is

retained

1.8

0.15

0.28

0.63

1.25

2.40

0.47

0.84

1.90

3.80

7.20

µA

2.4

0.15

0.24

0.63

1.26

2.50

0.45

0.71

1.90

3.80

7.50

3.0

0.15

0.24

0.64

1.31

2.60

0.47

0.74

2.00

4.00

7.80

3.3

0.14

0.26

0.64

1.30

2.50

0.44

0.78

2.00

3.90

7.50

3.6

0.14

0.29

0.65

1.30

2.50

0.42

0.87

2.00

3.90

7.50

IDD(SRAM2)

Supply current to be

added in Standby mode

when full SRAM2 and

BKPSRAM are retained

LDO

1.8

1.67

4.59

12.79 27.06 55.90

5.10

14.00 39.00 82.00 170.00

2.4

1.68

4.45

12.83 27.23 56.20

5.10

14.00 39.00 82.00 170.00

3.0

1.52

3.82

12.84 27.21 56.10

4.60

12.00 39.00 82.00 170.00

3.3

1.51

3.85

12.81 27.30 56.30

4.60

12.00 39.00 82.00 170.00

3.6

1.87

4.29

12.79 27.10 56.00

5.70

13.00 39.00 82.00 170.00

IDD(SRAM2_8K)

Supply current to be

added in Standby mode

when SRAM2 8-Kbyte

page 1 and BKPSRAM

are retained

1.8

0.57

1.34

4.02

8.36

17.10

1.80

4.10

13.00 26.00

52.00

2.4

0.64

1.35

4.04

8.33

17.20

2.00

4.10

13.00 25.00

52.00

3.0

0.64

1.40

4.04

8.41

17.10

2.00

4.30

13.00 26.00

52.00

3.3

0.66

1.39

3.98

8.40

17.20

2.00

4.20

12.00 26.00

52.00

3.6

0.75

1.41

3.89

8.20

16.70

2.30

4.30

12.00 25.00

51.00

Table 67. Current consumption in Standby mode (continued)

Symbol

Parameter

Conditions

Typ

Max(1)

Unit

-VDD (V) 25°C 55°C 85°C 105°C 125°C 25°C 55°C 85°C 105°C 125°C

STM32U545NET3QTR データシート(PDF) 173 Page - STMicroelectronics

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