STM32U535NET3QTR datasheet(168/278 Pages) STMICROELECTRONICS

部品番号	STM32U535NET3QTR

部品情報	Ultra-low-power Arm® Cortex®-M33 MCUTrustZone®FPU,240 DMIPS, up to 512 KB flash memory, 274 KB SRAM

PDF	278 Pages

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メーカー	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

ホームページ	http://www.st.com

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168 / 278 page

IDD(BKPSRAM)

Supply current to be

added in Standby mode

when backup SRAM is

retained

1.8

0.15

0.28

0.63

1.25

2.40

0.47

0.84

1.90

3.80

7.20

µA

2.4

0.15

0.24

0.63

1.26

2.50

0.45

0.71

1.90

3.80

7.50

3.0

0.15

0.24

0.64

1.31

2.60

0.47

0.74

2.00

4.00

7.80

3.3

0.14

0.26

0.64

1.30

2.50

0.44

0.78

2.00

3.90

7.50

3.6

0.14

0.29

0.65

1.30

2.50

0.42

0.87

2.00

3.90

7.50

IDD(SRAM2)

Supply current to be

added in Standby mode

when full SRAM2 and

BKPSRAM are retained

LDO

1.8

1.67

4.59

12.79 27.06 55.90

5.10

14.00 39.00 82.00 170.00

2.4

1.68

4.45

12.83 27.23 56.20

5.10

14.00 39.00 82.00 170.00

3.0

1.52

3.82

12.84 27.21 56.10

4.60

12.00 39.00 82.00 170.00

3.3

1.51

3.85

12.81 27.30 56.30

4.60

12.00 39.00 82.00 170.00

3.6

1.87

4.29

12.79 27.10 56.00

5.70

13.00 39.00 82.00 170.00

IDD(SRAM2_8K)

Supply current to be

added in Standby mode

when SRAM2 8-Kbyte

page 1 and BKPSRAM

are retained

1.8

0.57

1.34

4.02

8.36

17.10

1.80

4.10

13.00 26.00

52.00

2.4

0.64

1.35

4.04

8.33

17.20

2.00

4.10

13.00 25.00

52.00

3.0

0.64

1.40

4.04

8.41

17.10

2.00

4.30

13.00 26.00

52.00

3.3

0.66

1.39

3.98

8.40

17.20

2.00

4.20

12.00 26.00

52.00

3.6

0.75

1.41

3.89

8.20

16.70

2.30

4.30

12.00 25.00

51.00

Table 66. Current consumption in Standby mode (continued)

Symbol

Parameter

Conditions

Typ

Max(1)

Unit

-VDD (V) 25°C 55°C 85°C 105°C 125°C 25°C 55°C 85°C 105°C 125°C

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