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2SC4177W データシート(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
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2SC4177W データシート(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
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2 / 4 page  BL Galaxy Electrical Production specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC4177W Document number: BL/SSSTF039 www.galaxycn.com Rev.A 2 Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100μA,IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=60V,IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 0.1 μA DC current gain hFE VCE=6V,IC=1mA 90 200 600 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=100mA,IB=10mA 0.15 0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=100mA,IB=10mA 0.86 1.0 V Transition frequency fT VCE=6V, IE=-10mA 250 MHz Collector output capacitance Cob VCB=6V,IE=0,f=1MHz 3.0 pF CLASSIFICATION OF hFE Range 90-180 135-270 200-400 300-600 Marking L4 L5 L6 L7 TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified |
同様の部品番号 - 2SC4177W |
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同様の説明 - 2SC4177W |
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