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BC817-16 データシート(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
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BC817-16 データシート(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
2 / 4 page BL Galaxy Electrical Production specification NPN General Purpose Amplifier BC817-16/-25/-40 Document number: BL/SSSTC042 www.galaxycn.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10μA IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA IB=0 45 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=1μA IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=45V IE=0 0.1 μ A Collector cut-off current ICEO VCE=40V IBE(off)=0 0.2 μ A Emitter cut-off current IEBO VEB=4V IC=0 0.1 μ A DC current gain 817-16 817-25 817-40 hFE VCE=10V IC=150mA 100 160 250 250 400 600 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=500mA IB=50mA 0.7 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=500mA IB=50mA 1.2 V Transition frequency fT VCE=5V IC=10mA f=100MHz 100 MHz |
同様の部品番号 - BC817-16 |
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同様の説明 - BC817-16 |
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