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SMBT2907A データシート(PDF) 1 Page - Siemens Semiconductor Group |
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SMBT2907A データシート(HTML) 1 Page - Siemens Semiconductor Group |
1 / 7 page SMBT 2907A 1 Semiconductor Group Jan-22-1999 PNP Silicon Switching Transistor • High DC current gain: 0.1mA to 500 mA • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary type: SMBT 2222A (NPN) 1 2 3 VPS05161 Type Marking Ordering Code Package Pin Configuration s2F Q68000-A6474 1=B 2=E 3=C SOT-23 SMBT 2907A Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector-emitter voltage VCEO 60 V Collector-base voltage VCBO 60 Emitter-base voltage VEBO 5 DC collector current IC 600 mA Total power dissipation, TS = 77 °C Ptot 330 mW Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg -65 ... +150 Thermal Resistance K/W RthJA ≤290 Junction ambient 1) Junction - soldering point RthJS ≤220 1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm 2 Cu |
同様の部品番号 - SMBT2907A |
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同様の説明 - SMBT2907A |
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