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2N3904 データシート(PDF) 1 Page - KEC(Korea Electronics) |
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2N3904 データシート(HTML) 1 Page - KEC(Korea Electronics) |
1 / 4 page 2002. 9. 12 1/4 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N3904 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR Revision No : 1 GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES Low Leakage Current : ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) @VCE=30V, VEB=3V. Excellent DC Current Gain Linearity. Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. Low Collector Output Capacitance : Cob=4pF(Max.) @VCB=5V. Complementary to 2N3906. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) TO-92 DIM MILLIMETERS A B C D F G H J K L 4.70 MAX 4.80 MAX 3.70 MAX 0.45 1.00 1.27 0.85 0.45 14.00 0.50 0.55 MAX 2.30 D 1 2 3 B K G H F F E C E N 0.45 MAX M 1.00 N 1. EMITTER 3. COLLECTOR 2. BASE +_ CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 60 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 200 mA Base Current IB 50 mA Collector Power Dissipation Ta=25 PC 625 mW Tc=25 1.5 W Junction Temperature Tj 150 Storage Temperature Range Tstg -55 150 |
同様の部品番号 - 2N3904 |
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同様の説明 - 2N3904 |
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