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2SK529 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SK529 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel Mosfet Transistor 2SK529 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0; ID= 10mA 450 V VGS(TH) Gate Threshold Voltage VDS= 10V; ID= 1mA 1.5 3.5 V RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 10V; ID=1A 2.6 Ω VDS(ON) Drain-Source Saturation Voltage IF= 1A; VGS=10V 10 13 V IGSS Gate Source Leakage Current VGS= ±20V; VDS= 0 ±1 uA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=450V; VGS= 0 1 mA PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
同様の部品番号 - 2SK529 |
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同様の説明 - 2SK529 |
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