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EC3A01B データシート(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
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EC3A01B データシート(HTML) 2 Page - Sanyo Semicon Device |
2 / 5 page EC3A01B No.6612-2/5 [Ta=25 °C, VCC=4.5V, RL=1kΩ, Cin=15pF, See Specified Test Circuit] Ratings Parameter Symbol Conditions min typ max Unit Voltage Gain GV f=1kHz, VIN=10mV --3.0 dB Reduced Voltage Characteristics ∆GVV f=1kHz, VIN=10mV, VCC=4.5→1.5V --1.2 --3.5 dB Frequency Characteristics ∆Gvf f=1kHz to 110kHz --1.0 dB Input Impedance ZIN f=1kHz 25 M Ω Output Impedance ZO f=1kHz 1000 Ω Total Harmonic Distortion THD f=1kHz, VIN=30mV 1.2 % Output Noise Voltage VNO VIN=0, A Curve --110 dB Package Dimensions unit : mm 2188A Type No. Indication (Top view) Electrical Connection (Top view) Switching Time Test Circuit 1 : Drain 2 : Source 3 : Gate SANYO : ECSP1006-3 0.35 0.2 0.15 0.15 0.6 0.05 0.5 0.05 1 32 Top View Bottom View Marking 3 2 1 Polarity mark (On the top) Drain Source Gate *Electrodes : On the bottom Polarity mark Drain Source Gate V VCC=4.5V 33 µF 1k Ω OSC 15pF VCC=1.5V + V BA THD VTVM Voltage Gain Frequency Characteristics Distortion Reduced Voltage Characteristics Output Impedance |
同様の部品番号 - EC3A01B |
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同様の説明 - EC3A01B |
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