IRFZ48N データシート, PDF

IRFZ48Nは、「金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ」の略であるパワーMOSFETの一種です。 IRFZ48NのようなMOSFETは、信号を切り替えて増幅するための電子デバイスで一般的に使用されています。 IRFZ48Nの仕様と機能の詳細な説明は次のとおりです。

高度なプロセステクノロジー：これは、MOSFETの作成に使用される製造プロセスを指し、パフォーマンス、電力効率、信頼性に影響します。

超低耐性（RDS（ON））：オン耐性は、電源をオンにすると、MOSFETの排水と源との間の抵抗です。値が低いと、MOSFETが導入されているときの電力損失が少なく、効率が向上します。

動的DV/DT定格：このパラメーターは、MOSFETが時間の経過とともに高電圧の変化を処理する能力を失敗させずに示します。高速スイッチングを伴うアプリケーションにとって非常に重要です。

175°Cの動作温度：IRFZ48Nは、最大175°Cまでの温度で動作できます。これは、他の多くのMOSFETが耐えることができるものよりも高くなります。これにより、高温環境に適しています。

高速スイッチング：この機能は、出力電圧を効率的に調整するためにMOSFETが迅速にオン /オフする必要がある電源アプリケーションに不可欠です。

完全に評価された雪崩：雪崩の評価は、MOSFETが損傷を受けずに通常の動作条件を超えて短い過電圧条件を処理できることを意味します。

TO-220パッケージ：これは、MOSFETの物理的なパッケージングとフォームファクターです。 TO-220パッケージは、その良好な熱放散とより高い電流を処理する能力に広く使用されています。

IRFZ48Nは、さまざまなメーカーによって生産されており、電源からモーターコントローラーまで、幅広いアプリケーションで使用されています。さまざまな環境での大きな電流と電圧を効率的に切り替える能力とその堅牢性により、パワーエレクトロニクスに人気のある選択肢になります。

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