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HY27US08561M データシート (PDF) - Hynix Semiconductor

HY27US08561M Datasheet PDF - Hynix Semiconductor
部品番号 HY27US08561M
ダウンロード  HY27US08561M ダウンロード
ファイルサイズ   733.15 Kbytes
ページ   44 Pages
メーカー  HYNIX [Hynix Semiconductor]
ホームページ  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
部品情報 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash

HY27US08561M Datasheet (PDF)

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HY27US08561M Datasheet PDF - Hynix Semiconductor

部品番号 HY27US08561M
ダウンロード  HY27US08561M Click to download

ファイルサイズ   733.15 Kbytes
ページ   44 Pages
メーカー  HYNIX [Hynix Semiconductor]
ホームページ  http://www.skhynix.com/kor/main.do
Logo HYNIX - Hynix Semiconductor
部品情報 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash

HY27US08561M データシート (HTML) - Hynix Semiconductor


HY27US08561M 製品詳細

DESCRIPTION
The HYNIX HY27(U/S)SXX561M series is a family of non-volatile Flash memories that uses NAND cell technology. The devices operate 3.3V and 1.8V voltage supply. The size of a Page is either 528 Bytes (512 + 16 spare) or 264 Words (256 + 8 spare) depending on whether the device has a x8 or x16 bus width.

FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
    - Cost effective solutions for mass storage applications
NAND INTERFACE
    - x8 or x16 bus width.
    - Multiplexed Address/ Data
    - Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
    - 3.3V device: VCC = 2.7 to 3.6V : HY27USXX561M
    - 1.8V device: VCC = 1.7 to 1.95V : HY27SSXX561M
Memory Cell Array
    - 256Mbit = 528 Bytes x 32 Pages x 2,048 Blocks

PAGE SIZE
- x8 device : (512 + 16 spare) Bytes : HY27US08561M
- x16 device: (256 + 8 spare) Words : HY27US16561M
BLOCK SIZE
    - x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
    - x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
    - Random access: 10us (max)
    - Sequential access: 50ns (min)
    - Page program time: 200us (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
    - Fast page copy without external buffering

FAST BLOCK ERASE
    - Block erase time: 2ms (Typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE

CHIP ENABLE DONT CARE OPTION
    - Simple interface with microcontroller
AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP OPTION
    - Boot from NAND support
    - Automatic Memory Download
SERIAL NUMBER OPTION
HARDWARE DATA PROTECTION
    - Program/Erase locked during Power transitions
DATA INTEGRITY
    - 100,000 Program/Erase cycles
    - 10 years Data Retention
PACKAGE
    - HY27US(08/16)561M-T(P) : 48-Pin TSOP1 (12 x 20 x 1.2 mm)
        - HY27US(08/16)561M-T (Lead)
        - HY27US(08/16)561M-TP (Lead Free)
    - HY27US08561M-V(P) : 48-Pin WSOP1 (12 x 17 x 0.7 mm)
        - HY27US08561M-V (Lead)
        - HY27US08561M-VP (Lead Free)
    - HY27(U/S)S(08/16)561M-F(P) : 63-Ball FBGA (9.0 x 11 x 1.0 mm)
        - HY27US(08/16)561M-F (Lead)
        - HY27US(08/16)561M-FP (Lead Free)
        - HY27SS(08/16)561M-F (Lead)
        - HY27SS(08/16)561M-FP (Lead Free)




同様の部品番号 - HY27US08561M

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Hynix Semiconductor
HY27US08561A HYNIX-HY27US08561A Datasheet
428Kb / 47P
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
More results


同様の説明 - HY27US08561M

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Actel Corporation
EP501 ACTEL-EP501 Datasheet
118Kb / 3P
EP501 NAND Flash Controller
logo
Hynix Semiconductor
HY5S5B6GLF-6 HYNIX-HY5S5B6GLF-6 Datasheet
3Mb / 52P
256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory
HY27SS08561A HYNIX-HY27SS08561A Datasheet
428Kb / 47P
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27UF084G2M HYNIX-HY27UF084G2M Datasheet
342Kb / 49P
4Gbit (512Mx8bit) NAND Flash
HY27UF082G2B HYNIX-HY27UF082G2B Datasheet
411Kb / 54P
2Gb NAND FLASH
HY27UG088G5B HYNIX-HY27UG088G5B Datasheet
380Kb / 53P
8Gb NAND FLASH
logo
Micron Technology
MT29F1G08 MICRON-MT29F1G08 Datasheet
103Kb / 1P
NAND Flash
logo
List of Unclassifed Man...
S846-SAS ETC2-S846-SAS Datasheet
250Kb / 2P
MLC Nand Flash
logo
A-Data Technology
GAMMIXS10 A-DATA-GAMMIXS10 Datasheet
291Kb / 2P
3D NAND Flash
logo
Samsung semiconductor
K9F1G08U0D SAMSUNG-K9F1G08U0D Datasheet
687Kb / 38P
1Gb NAND Flash
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Hynix Semiconductor について


Hynix Semiconductorは、メモリ半導体の設計と製造を専門とする韓国の会社です。
同社は1983年に設立され、韓国のイチョンに本社を置いています。
Hynixは、コンピューターシステム、モバイルデバイス、ソリッドステートドライブなどのさまざまなアプリケーションで使用されているDRAM(動的ランダムアクセスメモリ)とNANDフラッシュメモリの世界有数の生産者の1つです。
Hynixは、メモリ半導体テクノロジーの専門知識と、高品質で高性能のメモリ製品を顧客に提供する能力で知られています。
同社は世界中のさまざまな国に運営と施設を持ち、顧客と緊密に連携して、特定の要件とニーズを満たすカスタマイズされたメモリソリューションを提供しています。
メモリ製品に加えて、Hynixは、System-a-Chip(SOC)製品や高帯域幅メモリ(HBM)製品など、自動車およびデータセンター市場向けのさまざまな製品とソリューションも提供しています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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