IXKC19N60C5 データシート(PDF)

Ixys Corporationは、電力半導体および統合サーキット（IC）の設計、製造、販売を専門とするテクノロジー企業です。同社は1983年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置いています。 Ixysには世界的な存在感があり、世界中の60か国以上の運営と顧客がいます。

Ixysは、電力管理および制御アプリケーションのために、パワーMOSFET、パワーバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ダイオード、ICSなど、幅広い製品とソリューションを提供します。同社の製品は、再生可能エネルギー、産業、自動車、家電など、さまざまなアプリケーションで使用されています。

Ixysは、電力半導体テクノロジーの専門知識と、顧客に高性能で費用対効果の高いソリューションを提供する能力で知られています。同社はイノベーションと研究開発に取り組んでおり、パワー半導体市場向けの新しいテクノロジーとソリューションの開発に積極的に関与しています。 Ixysは、Power Semiconductor Marketのリーダーであり、顧客に高品質の製品とサービスを提供し続けています。

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部品番号	IXKC19N60C5

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ページ	4 Pages

メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

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