B601 データシート(PDF) - NEC

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B601 データシート (PDF) - NEC

B601 Datasheet PDF - NEC


部品番号	B601

ダウンロード	B601 ダウンロード

ファイルサイズ	110.45 Kbytes

ページ	6 Pages

メーカー	NEC [NEC]

ホームページ	http://www.nec.com/

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部品情報	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

B601 Datasheet (PDF)

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B601 データシート (HTML) - NEC

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B601 Datasheet HTML 6Page - NEC

B601 製品詳細

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

FEATURES
• High-DC current gain due to Darlington connection
• Low collector saturation voltage
• Low collector cutoff current
• Ideal for use in direct drive from IC output for magnet drivers such
as treminal equipment or cash registers

同様の部品番号 - B601

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	B6010D	801Kb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	B6010S	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
Mechatronics, Inc.	B6012	501Kb / 1P	UL94V-0 PBT impeller, metal and PBT frame
List of Unclassifed Man...	B6012M	367Kb / 1P	DC BLOWERS
Mechatronics, Inc.	B6012M	501Kb / 1P	UL94V-0 PBT impeller, metal and PBT frame

同様の説明 - B601

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NEC	2SD2217	100Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1431	132Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1430	115Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1432	106Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1578	129Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
	2SD560	90Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD2165	118Kb / 5P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD1843	76Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB1432	229Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB1431	257Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

NEC について

NEC Corporationは、日本の多国籍情報技術および電子会社です。同社は1899年に設立され、日本の東京に本社を置いています。 NECは、情報技術、通信、電子機器など、幅広い製品とサービスを提供しています。そのポートフォリオには、コンピューターハードウェア、ソフトウェア、サービス、ネットワークソリューション、ディスプレイソリューション、エンタープライズサーバー、ストレージソリューションが含まれます。

NECは、情報技術の分野での専門知識と、革新的で高品質の製品とサービスを提供する能力で知られています。同社は、世界中のさまざまな国に運営と施設を持ち、アジア太平洋地域で強い存在感を示しています。 NECは、顧客と緊密に連携して、特定の要件とニーズを満たすカスタマイズされたソリューションを提供します。

コアビジネスに加えて、NECは研究開発の分野でも活動しており、人工知能、5Gネットワーク、モノのインターネット（IoT）などの高度な技術に関連するさまざまなプロジェクトに関与しています。 NECは、社会の発展をサポートし、世界中の人々の生活の質を向上させる持続可能なソリューションを提供することに取り組んでいます。

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