IXFR10N100F データシート(PDF) - IXYS Corporation

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IXFR10N100F データシート (PDF) - IXYS Corporation

IXFR10N100F Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXFR10N100F

ダウンロード	IXFR10N100F ダウンロード

ファイルサイズ	91.92 Kbytes

ページ	2 Pages

メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

IXFR10N100F Datasheet (PDF)

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IXFR10N100F Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXFR10N100F

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メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

IXFR10N100F データシート (HTML) - IXYS Corporation

IXFR10N100F Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXFR10N100F Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXFR10N100F 製品詳細

HiPerFET™ Power MOSFETs ISOPLUS247™ F-Class: MegaHertz Switching (Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dV/dt
Low Gate Charge and Capacitances

Features
• RF capable MOSFETs
• Double metal process for low gate resistance
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance - easy to drive and to protect
• Fast intrinsic rectifier

Applications
• DC-DC converters
• Switched-mode and resonant-mode power supplies, >500kHz switching
• DC choppers
• 13.5 MHz industrial applications
• Pulse generation
• Laser drivers
• RF amplifiers

Advantages
• ISOPLUS 247TM package for clip or spring mounting
• Space savings
• High power density

同様の部品番号 - IXFR10N100F

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Inchange Semiconductor ...	IXFR10N100	308Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor 2023.10.7
IXYS Corporation	IXFR10N100Q	33Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
IXYS Corporation	IXFR10N100Q	160Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q CLASS

同様の説明 - IXFR10N100F

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXFR30N50	92Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFR180N10	33Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFR100N25	81Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFR90N30	55Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFR150N15	38Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFG55N50	100Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFR21N100Q	115Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFR32N50Q	558Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFR80N15Q	47Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFR180N07	37Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

IXYS Corporation について

Ixys Corporationは、電力半導体および統合サーキット（IC）の設計、製造、販売を専門とするテクノロジー企業です。同社は1983年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置いています。 Ixysには世界的な存在感があり、世界中の60か国以上の運営と顧客がいます。

Ixysは、電力管理および制御アプリケーションのために、パワーMOSFET、パワーバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ダイオード、ICSなど、幅広い製品とソリューションを提供します。同社の製品は、再生可能エネルギー、産業、自動車、家電など、さまざまなアプリケーションで使用されています。

Ixysは、電力半導体テクノロジーの専門知識と、顧客に高性能で費用対効果の高いソリューションを提供する能力で知られています。同社はイノベーションと研究開発に取り組んでおり、パワー半導体市場向けの新しいテクノロジーとソリューションの開発に積極的に関与しています。 Ixysは、Power Semiconductor Marketのリーダーであり、顧客に高品質の製品とサービスを提供し続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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