NIMD6302R2 データシート(PDF) - ON Semiconductor

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NIMD6302R2 データシート (PDF) - ON Semiconductor

NIMD6302R2 Datasheet PDF - ON Semiconductor


部品番号	NIMD6302R2

ダウンロード	NIMD6302R2 ダウンロード

ファイルサイズ	97.01 Kbytes

ページ	12 Pages

メーカー	ONSEMI [ON Semiconductor]

ホームページ	http://www.onsemi.com

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部品情報	HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET

NIMD6302R2 Datasheet (PDF)

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NIMD6302R2 Datasheet PDF - ON Semiconductor


部品番号	NIMD6302R2

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ファイルサイズ	97.01 Kbytes

ページ	12 Pages

メーカー	ONSEMI [ON Semiconductor]

ホームページ	http://www.onsemi.com

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部品情報	HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET

NIMD6302R2 データシート (HTML) - ON Semiconductor

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NIMD6302R2 製品詳細

HDPlus devices are an advanced HDTMOS™ series of power MOSFET which utilize ON’s latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on–resistance per silicon area while incorporating smart features. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes. The avalanche energy is specified to eliminate guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
This HDPlus device features an integrated Gate–to–Source clamp for ESD protection. Also, this device features a mirror FET for current monitoring.

• ±3.5% Current Mirror Accuracy in Linear Region
• ±15% Current Mirror Accuracy in Low Current Saturation Region
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• Avalanche Energy Specified
• Current Sense FET
• ESD Protected on the Main and the Mirror FET

同様の部品番号 - NIMD6302R2

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
ON Semiconductor	NIMD6302R2	90Kb / 9P	HDPlus Dual N?묬hannel Self?뭦rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET March, 2006 ??Rev. 4
ON Semiconductor	NIMD6302R2	90Kb / 9P	HDPlus Dual N?묬hannel Self?뭦rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET March, 2006 ??Rev. 4

同様の説明 - NIMD6302R2

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
ON Semiconductor	NIF5002N	58Kb / 6P	Self-Protected FET with Temperature and Current Limit January, 2004 ??Rev. 5
	NIF62514	57Kb / 6P	Self-protected FET with Temperature and Current Limit April, 2003 - Rev. 3
	NID5001N	53Kb / 6P	Self-protected FET with Temperature and Current Limit January, 2004 ??Rev. 6
	NILMS4501N	90Kb / 9P	Power MOSFET with Current Mirror FET May, 2006 ??Rev. 4
	NIMD6302R2	90Kb / 9P	HDPlus Dual N?묬hannel Self?뭦rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET March, 2006 ??Rev. 4
	NCV8402D	152Kb / 10P	Dual Self-Protected Low-Side Driver with Temperature and Current Limit Octtober, 2009 ??Rev. 0
	NID5003NT4G	112Kb / 5P	Self-Protected FET with Temperature and Current Limit September, 2008??Rev. 6
	NCV8402AD	124Kb / 10P	Dual Self-Protected Low-Side Driver with Temperature and Current Limit November, 2011 ??Rev. 1
	NIC5004TS1	110Kb / 3P	Self-Protected FET August, 2012 ??Rev. 1
Pan Jit International I...	PJA3416AE-AU	2Mb / 6P	20V N-Channe lEnhancement Mode MOSFET – ESD Protected May 5,2021 PJA3416AE-AU-REV.00

ON Semiconductor について

「ON Semiconductorは、自動車、コンピューティング、消費財、産業、通信市場など、さまざまなアプリケーション向けに幅広い半導体製品を設計、開発、製造する公開企業です。
同社は1999年に設立され、アリゾナ州フェニックスに本社を置いています。
Semiconductorは、電源MOSFET、ダイオード、整流器、電圧レギュレーターなど、電力管理、アナログ、離散半導体の幅広いポートフォリオを提供します。
同社の製品は、エネルギー効率が高く、信頼性が高く、費用対効果が高いように設計されており、ポータブルエレクトロニクス、産業自動化システム、再生可能エネルギーシステム、自動車用エレクトロニクスなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。
Semiconductorは、イノベーションと顧客満足度に取り組んでおり、お客様のニーズを満たすために最高の半導体ソリューションを提供することに取り組んでいます。」

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