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JS28F256P30B85 データシート (PDF) - Intel Corporation

JS28F256P30B85 Datasheet PDF - Intel Corporation
部品番号 JS28F256P30B85
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ファイルサイズ   1609.91 Kbytes
ページ   102 Pages
メーカー  INTEL [Intel Corporation]
ホームページ  http://www.intel.com
Logo INTEL - Intel Corporation
部品情報 Intel StrataFlash Embedded Memory

JS28F256P30B85 Datasheet (PDF)

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JS28F256P30B85 Datasheet PDF - Intel Corporation

部品番号 JS28F256P30B85
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メーカー  INTEL [Intel Corporation]
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部品情報 Intel StrataFlash Embedded Memory

JS28F256P30B85 データシート (HTML) - Intel Corporation


JS28F256P30B85 製品詳細

Introduction
This document provides information about the Intel StrataFlash® Embedded Memory (P30) device and describes its features, operation, and specifications.

Product Features
■ High performance
    — 85/88 ns initial access
    — 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to data output synchronous-burst read mode
    — 25 ns asynchronous-page read mode
    — 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode
    — Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 µs/byte (Typ)
    — 1.8 V buffered programming at 7 µs/byte (Typ)
■ Architecture
    — Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest Cost
    — Asymmetrically-blocked architecture
    — Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom configuration
    — 128-KByte main blocks
■ Voltage and Power
    —VCC(core) voltage: 1.7 V – 2.0 V
    —VCCQ (I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V
    — Standby current: 55 µA (Typ) for 256-Mbit
    — 4-Word synchronous read current: 13 mA (Typ) at 40 MHz
■ Quality and Reliability
    — Operating temperature: –40 °C to +85 °C
        • 1-Gbit in SCSP is –30 °C to +85 °C
    — Minimum 100,000 erase cycles per block
    — ETOX™ VIII process technology (130 nm)
■ Security
    — One-Time Programmable Registers:
        • 64 unique factory device identifier bits
        • 64 user-programmable OTP bits
        • Additional 2048 user-programmable OTP bits
    — Selectable OTP Space in Main Array:
        • 4x32KB parameter blocks + 3x128KB main blocks (top or bottom configuration)
    — Absolute write protection: VPP= VSS
    — Power-transition erase/program lockout
    — Individual zero-latency block locking
    — Individual block lock-down
■ Software
    — 20 µs (Typ) program suspend
    — 20 µs (Typ) erase suspend
    —Intel® Flash Data Integrator optimized
    — Basic Command Set and Extended Command Set compatible
    — Common Flash Interface capable
■ Density and Packaging
    — 64/128/256-Mbit densities in 56-Lead TSOP package
    — 64/128/256/512-Mbit densities in 64-Ball Intel®Easy BGA package
    — 64/128/256/512-Mbit and 1-Gbit densities in Intel®QUAD+ SCSP
    — 16-bit wide data bus




同様の部品番号 - JS28F256P30B85

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Micron Technology
JS28F256P30B MICRON-JS28F256P30B Datasheet
1Mb / 98P
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
logo
Numonyx B.V
JS28F256P30B95 NUMONYX-JS28F256P30B95 Datasheet
1Mb / 99P
Numonyx StrataFlash Embedded Memory
logo
Micron Technology
JS28F256P30B95A MICRON-JS28F256P30B95A Datasheet
1Mb / 97P
Numonyx StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30BFE MICRON-JS28F256P30BFE Datasheet
1Mb / 95P
256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
JS28F256P30BFE MICRON-JS28F256P30BFE Datasheet
1Mb / 98P
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
More results


同様の説明 - JS28F256P30B85

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Intel Corporation
28F128J3A INTEL-28F128J3A Datasheet
380Kb / 58P
3 Volt Intel StrataFlash Memory
TE28F256J3C INTEL-TE28F256J3C Datasheet
905Kb / 72P
Intel StrataFlash Memory (J3)
28F640L18 INTEL-28F640L18 Datasheet
1Mb / 106P
StrataFlash Wireless Memory
logo
Numonyx B.V
28F128L18 NUMONYX-28F128L18 Datasheet
1Mb / 106P
StrataFlash Wireless Memory
306666-11 NUMONYX-306666-11 Datasheet
1Mb / 99P
Numonyx StrataFlash Embedded Memory
313295-04 NUMONYX-313295-04 Datasheet
1Mb / 98P
Numonyx StrataFlash Wireless Memory
logo
Micron Technology
JS28F256P30B95A MICRON-JS28F256P30B95A Datasheet
1Mb / 97P
Numonyx StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P33BFE MICRON-JS28F256P33BFE Datasheet
1Mb / 90P
NumonyxTM StrataFlash Embedded Memory
PC28F512G18FF MICRON-PC28F512G18FF Datasheet
1Mb / 118P
128Mb, 256Mb, 512Mb, 1Gb StrataFlash Memory
logo
Numonyx B.V
JS28F256P33BFA NUMONYX-JS28F256P33BFA Datasheet
374Kb / 18P
NumonyxTM StrataFlash Embedded Memory P33 (256-Mbit, 256-Mbit/256- Mbit) 130nm to 65nm
More results




Intel Corporation について


Intel Corporationは、カリフォルニア州サンタクララに本社を置くアメリカの多国籍企業およびテクノロジー企業です。
収益に基づいて、世界最大かつ最高値の半導体チップメーカーの1つです。
Intelは、マイクロプロセッサの開発であるコンピューターの中央処理単位(CPU)の開発で最もよく知られています。
1968年に設立されたIntelは、50年以上にわたってコンピューターハードウェア業界のリーダーでした。
マイクロプロセッサに加えて、同社はデータセンターやネットワーク機器、ソリッドステートドライブ、モノのインターネット(IoT)デバイスなど、幅広い製品と技術を提供しています。
Intelは、5Gネットワ​​ークと自動運転車の開発における主要なプレーヤーでもあります。
Intelは、イノベーションとテクノロジーのリーダーシップに焦点を当てており、コンピューティングとテクノロジーの将来を形作る上で重要な役割を果たし続けています。
同社は研究開発に多額の投資を行い、イノベーションに対して17,000を超える特許を授与されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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