V6KM45DU データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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V6KM45DU データシート (PDF) - Vishay Siliconix

V6KM45DU Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	V6KM45DU

ダウンロード	V6KM45DU ダウンロード

ファイルサイズ	135.88 Kbytes

ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

Logo

部品情報	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A

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部品番号	V6KM45DU

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ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A

V6KM45DU データシート (HTML) - Vishay Siliconix

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V6KM45DU 製品詳細

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

同様の部品番号 - V6KM45DU

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	V6KM45DU	136Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A 26-Jul-2018
Vishay Siliconix	V6KM45DU	136Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A 26-Jul-2018

同様の説明 - V6KM45DU

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	V8P12	88Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A 16-Dec-14
	V8PL6-M3	92Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A 27-Oct-14
	V8PM12-M3	100Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A 16-Dec-14
	V10P6-M3	95Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 04-May-15
	V35PW12	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PW15	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PW12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM10C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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