IXFR180N085 データシート(PDF) - IXYS Corporation

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IXFR180N085 データシート (PDF) - IXYS Corporation

IXFR180N085 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXFR180N085

ダウンロード	IXFR180N085 ダウンロード

ファイルサイズ	42.06 Kbytes

ページ	2 Pages

メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	HiPerFET-TM Power MOSFETs ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)

IXFR180N085 Datasheet (PDF)

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部品番号	IXFR180N085

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メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

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部品情報	HiPerFET-TM Power MOSFETs ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)

IXFR180N085 データシート (HTML) - IXYS Corporation

IXFR180N085 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXFR180N085 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXFR180N085 製品詳細

HiPerFET™ Power MOSFETs ISOPLUS247™ (Electrically Isolated Back Surface)

Single MOSFET Die

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
    - High power dissipation
    - Isolated mounting surface
    - 2500V electrical isolation
• Low drain to tab capacitance(<25pF)
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Fast intrinsic Rectifier

Applications
• DC-DC converters
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers
• AC motor control

Advantages
• Easy assembly
• Space savings
• High power density

同様の部品番号 - IXFR180N085

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Inchange Semiconductor ...	IXFR180N085	330Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor 2023.10.8

同様の説明 - IXFR180N085

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXFR26N50	34Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR26N50Q	79Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR50N50	84Kb / 2P	HiPerFET-TM Power MOSFETs ISOPLUS247-TM
	IXFN21N100Q	135Kb / 4P	HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class
	DSS17-06CR	42Kb / 2P	HiPerDyn-TM Schottky Diode (Electrically Isolated Back Surface)
	IXGR60N60U1	118Kb / 5P	LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFB38N100Q2	126Kb / 4P	HiPerFET TM Power MOSFETs
	IXFR4N100Q	81Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
	IXFG55N50	100Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
	IXFR180N07	37Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

IXYS Corporation について

Ixys Corporationは、電力半導体および統合サーキット（IC）の設計、製造、販売を専門とするテクノロジー企業です。同社は1983年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置いています。 Ixysには世界的な存在感があり、世界中の60か国以上の運営と顧客がいます。

Ixysは、電力管理および制御アプリケーションのために、パワーMOSFET、パワーバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ダイオード、ICSなど、幅広い製品とソリューションを提供します。同社の製品は、再生可能エネルギー、産業、自動車、家電など、さまざまなアプリケーションで使用されています。

Ixysは、電力半導体テクノロジーの専門知識と、顧客に高性能で費用対効果の高いソリューションを提供する能力で知られています。同社はイノベーションと研究開発に取り組んでおり、パワー半導体市場向けの新しいテクノロジーとソリューションの開発に積極的に関与しています。 Ixysは、Power Semiconductor Marketのリーダーであり、顧客に高品質の製品とサービスを提供し続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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