V15PL50 データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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V15PL50 データシート (PDF) - Vishay Siliconix

V15PL50 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	V15PL50

ダウンロード	V15PL50 ダウンロード

ファイルサイズ	96.14 Kbytes

ページ	5 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5 A

V15PL50 Datasheet (PDF)

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メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5 A

V15PL50 データシート (HTML) - Vishay Siliconix

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V15PL50 製品詳細

FEATURES
• Very low profile - typical height of 1.1 mm
• Ideal for automated placement
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage high frequency DC/DC converters,
freewheeling, and polarity protection applications.

MECHANICAL DATA
Case: SMPC (TO-277A)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Terminals: matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

同様の部品番号 - V15PL50

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	V15PL50	756Kb / 5P	Trench MOS Schottky technology 02-Jul-13
Thinki Semiconductor Co...	V15PL50-M3	1Mb / 3P	15 Ampere,50 Volt Trench Process Low Vf Schottky Barrier Rectifier Rev.12T
Vishay Siliconix	V15PL50	735Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 02-Jul-13

同様の説明 - V15PL50

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	V10P6-M3	95Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 04-May-15
	V35PW12	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PW15	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM15	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM45	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM60	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PW12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM10C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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