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SCT040H65G3SAG データシート (PDF) - STMicroelectronics
SCT040H65G3SAG Datasheet PDF - STMicroelectronics
部品番号 SCT040H65G3SAG
ダウンロード  SCT040H65G3SAG ダウンロード
ファイルサイズ   227.64 Kbytes
ページ   12 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 m typ., 30 A in an H2PAK-7 straight leads package

SCT040H65G3SAG Datasheet (PDF)

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SCT040H65G3SAG Datasheet PDF - STMicroelectronics

部品番号 SCT040H65G3SAG
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ファイルサイズ   227.64 Kbytes
ページ   12 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 m typ., 30 A in an H2PAK-7 straight leads package

SCT040H65G3SAG データシート (HTML) - STMicroelectronics


SCT040H65G3SAG 製品詳細

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Source sensing pin for increased efficiency

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with
low capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)




同様の部品番号 - SCT040H65G3SAG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
More results


同様の説明 - SCT040H65G3SAG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCTH35N65G2V-7 STMICROELECTRONICS-SCTH35N65G2V-7 Datasheet
378Kb / 15P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an H2PAK-7 package
17-Dec-2020
SCTH100N65G2-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH100N65G2-7AG Datasheet
623Kb / 15P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 95 A, 20 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
27-Nov-2018
SCTH35N65G2V-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH35N65G2V-7AG Datasheet
620Kb / 15P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
24-Jan-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT018H65G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
07-Oct-2022
SCT040H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3AG Datasheet
386Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
14-Oct-2022
SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
396Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
04-Apr-2023
SCTH100N120G2-AG STMICROELECTRONICS-SCTH100N120G2-AG Datasheet
439Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
23-Jul-2020
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STMicroelectronics について

Stmicroelectronicsは、スイスのジュネーブに拠点を置く多国籍の電子機器および半導体メーカーです。

同社は、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーション向けに、マイクロコントローラー、センサー、パワーアンプ、統合サーキットなど、幅広い製品を提供しています。

1987年に設立されたStmicroelectronicsは、100か国以上で事業を展開しており、世界最大の半導体企業の1つです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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