NMSD200B01 データシート(PDF) - Diodes Incorporated

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NMSD200B01 データシート (PDF) - Diodes Incorporated

NMSD200B01 Datasheet PDF - Diodes Incorporated


部品番号	NMSD200B01

ダウンロード	NMSD200B01 ダウンロード

ファイルサイズ	177.65 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	DIODES [Diodes Incorporated]

ホームページ	http://www.diodes.com

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部品情報	200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE

NMSD200B01 Datasheet (PDF)

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部品番号	NMSD200B01

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ページ	8 Pages

メーカー	DIODES [Diodes Incorporated]

ホームページ	http://www.diodes.com

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部品情報	200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE

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NMSD200B01 製品詳細

General Description
• NMSD200B01 is best suited for switching voltage regulator and power management applications. It improves efficiency and reliability of DC-DC controllers used in Voltage Regulator Modules (VRM) and can support continuous maximum current of 200mA. It features an ESD protected discrete N-MOSFET with low on-resistance and a discrete Schottky diode with low forward drop. It reduces component count, consumes less space and minimizes parasitic losses. The component devices can be used as a part of a circuit or as a stand alone discrete device.

Features
• N-MOSFET with ESD Gate Protection
• N-MOSFET with Low On-Resistance (RDS(ON))
• Low Vf Schottky Diode
• Low Static, Switching and Conduction Losses
• Good Dynamic Performance
• Surface Mount Package Suited for Automated Assembly
• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)
• "Green" Device (Note 2)

同様の部品番号 - NMSD200B01

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
C&D Technologies	NMS	109Kb / 2P	6kVDC Isolated 2W Dual Output DC-DC Converters
Murata Power Solutions ...	NMS	129Kb / 4P	6kVDC Isolated 2W Dual Output DC-DC Converters 2023
Richco, Inc.	NMS-306	37Kb / 1P	NYLON METRIC SCREWS
	NMS-308	37Kb / 1P	NYLON METRIC SCREWS
	NMS-310	37Kb / 1P	NYLON METRIC SCREWS

同様の説明 - NMSD200B01

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Diodes Incorporated	LMN200B01	570Kb / 10P	200 mA LOAD SWITCH FEATURING PRE-BIASED PNP TRANSISTOR AND N-MOSFET WITH PULL DOWN RESISTOR DS30651 Rev. 7 - 2
	LMN200B02	522Kb / 10P	200 mA LOAD SWITCH FEATURING PRE-BIASED PNP TRANSISTOR AND N-MOSFET WITH GATE PULL DOWN RESISTOR DS30658 Rev. 4 - 2
	LMN200B02	251Kb / 10P	200 mA LOAD SWITCH FEATURING PRE-BIASED PNP TRANSISTOR AND N-MOSFET DS30658 Rev. 7 - 2
Micro Commercial Compon...	RB520S-40	182Kb / 2P	200 mA Schottky Barrier Diode 40 Volts
Cystech Electonics Corp...	MTB1K6N06KS6R	308Kb / 10P	200mA Sychronous Rectifier featuring N-MOSFET and Schottky Diode
Micro Commercial Compon...	RB520S-40	313Kb / 3P	200 mA Schottky Barrier Diode 40 Volts
Microsemi Corporation	1N6675UR-1	417Kb / 6P	200 and 500 mA Schottky Barrier Rectifier
Nexperia B.V. All right...	BAT721	191Kb / 8P	40 V, 200 mA Schottky barrier diode 1 October 2022
	BAT721-Q	191Kb / 8P	40 V, 200 mA Schottky barrier diode 3 May 2023
	RB521S30-Q	229Kb / 11P	200 mA low VF Schottky barrier rectifier 20 April 2023

Diodes Incorporated について

Diodes Incorporatedは、幅広いディスクリート、アナログ、および混合シグナル半導体と完全なパワーソリューションを設計、製造、および供給する公開企業です。
同社は1964年に設立され、テキサス州プラノに本社を置いています。
北米、ヨーロッパ、アジアの販売、サポート、デザインセンターで世界的に運営されています。
Diodes Incorporatedは、自動車、通信、コンピューティング、消費者、産業など、さまざまな業界にサービスを提供しています。
同社は、ダイオード、整流器、トランジスタ、電圧レギュレーター、MOSFET、LEDドライバー、保護装置など、幅広い製品を提供しています。
同社の使命は、顧客に高品質で高解放性製品と優れた顧客サービスを提供することです。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたDiodes Incorporatedは、電力管理ソリューションの大手プロバイダーになることに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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