NTH4L080N120SC1_V01 データシート(PDF) - ON Semiconductor

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NTH4L080N120SC1 データシート (PDF) - ON Semiconductor

NTH4L080N120SC1 Datasheet PDF - ON Semiconductor


部品番号	NTH4L080N120SC1_V01

ダウンロード	NTH4L080N120SC1 ダウンロード

ファイルサイズ	409.41 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	ONSEMI [ON Semiconductor]

ホームページ	http://www.onsemi.com

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部品情報	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

NTH4L080N120SC1 Datasheet (PDF)

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NTH4L080N120SC1 Datasheet PDF - ON Semiconductor


部品番号	NTH4L080N120SC1_V01

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メーカー	ONSEMI [ON Semiconductor]

ホームページ	http://www.onsemi.com

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部品情報	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

NTH4L080N120SC1 データシート (HTML) - ON Semiconductor

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NTH4L080N120SC1 製品詳細

Description
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology
that provide superior switching performance and higher reliability
compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact
chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently,
system benefits include highest efficiency, faster operation frequency,
increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Features
• 1200 V @ TJ = 175°C
• Max RDS(on) = 110 m at VGS = 20 V, ID = 20 A
• High Speed Switching with Low Capacitance
• 100% Avalanche Tested
• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,
Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications
• Industrial Motor Drive
• UPS
• Boost Inverter
• PV Charger

同様の部品番号 - NTH4L080N120SC1_V01

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
ON Semiconductor	NTH4L080N120SC1	411Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, TO-247-4L January, 2023 - Rev. 3

同様の説明 - NTH4L080N120SC1_V01

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
ON Semiconductor	NVHL080N120SC1	363Kb / 7P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L May, 2022 - Rev. 4
	NTH4L040N120SC1	360Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 3
	NTH4L160N120SC1	356Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 4
	NTHL080N120SC1A	363Kb / 7P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L May, 2022 - Rev. 3
	NTH4L020N120SC1	362Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 4
	NTHL080N120SC1	365Kb / 7P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L January, 2023 - Rev. 6
	NVH4L020N120SC1	363Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 4
	NVH4L040N120SC1	363Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 3
	NTH4L040N120SC1	361Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L January, 2023 - Rev. 4
	NVH4L160N120SC1	358Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 4

ON Semiconductor について

「ON Semiconductorは、自動車、コンピューティング、消費財、産業、通信市場など、さまざまなアプリケーション向けに幅広い半導体製品を設計、開発、製造する公開企業です。
同社は1999年に設立され、アリゾナ州フェニックスに本社を置いています。
Semiconductorは、電源MOSFET、ダイオード、整流器、電圧レギュレーターなど、電力管理、アナログ、離散半導体の幅広いポートフォリオを提供します。
同社の製品は、エネルギー効率が高く、信頼性が高く、費用対効果が高いように設計されており、ポータブルエレクトロニクス、産業自動化システム、再生可能エネルギーシステム、自動車用エレクトロニクスなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。
Semiconductorは、イノベーションと顧客満足度に取り組んでおり、お客様のニーズを満たすために最高の半導体ソリューションを提供することに取り組んでいます。」

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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