TS9410VB データシート(PDF) - Vishay Siliconix

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TS9410VB データシート (PDF) - Vishay Siliconix

TS9410VB Datasheet PDF - Vishay Siliconix


部品番号	TS9410VB

ダウンロード	TS9410VB ダウンロード

ファイルサイズ	90.16 Kbytes

ページ	4 Pages

メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip

TS9410VB Datasheet (PDF)

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TS9410VB Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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メーカー	VISHAY [Vishay Siliconix]

ホームページ	http://www.vishay.com

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部品情報	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip

TS9410VB データシート (HTML) - Vishay Siliconix

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TS9410VB 製品詳細

DESCRIPTION
TS9410VB is a high power infrared, 940 nm surface emitting
diode in GaAlAs technology with high radiant power and
high speed. Polarity configuration is “n-up”.

FEATURES
• Package type: chip
• Package form: single chip
• Technology: surface emitter
• Dimensions chip (L x W x H in mm):
0.260 x 0.260 x 0.17
• Peak wavelength:  = 940 nm
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912

同様の部品番号 - TS9410VB

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	TS9410VB	89Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 23-May-17
	TS9410VB-SF-F	89Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 23-May-17
	TS9410VB	89Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 06-Feb-18

同様の説明 - TS9410VB

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Vishay Siliconix	TS8520VA	95Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 20-Feb-12
	TS8542VA	101Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 20-Feb-12
	TS8514VB	90Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 11-Apr-17
	TS9410VB	89Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 23-May-17
	TS9414VB	91Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 11-Apr-17
	TS8510VB	87Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 06-Feb-18
	TS8510VB	88Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 06-Feb-18
	TS9410VB	89Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 06-Feb-18
	TS8510VB	89Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 06-Feb-18
	TS8514VB	87Kb / 4P	Specification of High Power IR Emitting Diode Chip 02-Mar-2020

Vishay Siliconix について

Vishay Siliconixは、パッシブ電子コンポーネントのグローバルメーカーであるVishay Intertechnologyの子会社です。
Vishay Siliconixは、パワーMOSFET、IGBT、およびその他のパワー半導体の設計、製造、およびマーケティングを専門としています。
同社は1962年に設立され、カリフォルニア州サンタクララに本社を置いています。
Vishay Siliconixは、再生可能エネルギーシステム、産業機器、コンピューティングと通信、自動車電子機器など、さまざまなアプリケーション向けの電源ソリューションを提供しています。
同社の製品は、高効率、低消費電力、高い信頼性のために設計されており、高度な製造プロセスを使用して最先端の施設で製造されています。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたVishay Siliconixは、ニーズを満たすために顧客に最良の電力管理ソリューションを提供することに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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