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SGT65R65AL データシート (PDF) - STMicroelectronics
SGT65R65AL Datasheet PDF - STMicroelectronics
部品番号 SGT65R65AL
ダウンロード  SGT65R65AL ダウンロード
ファイルサイズ   646.11 Kbytes
ページ   17 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 650 V, 49 mΩ typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT65R65AL Datasheet (PDF)

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SGT65R65AL Datasheet PDF - STMicroelectronics

部品番号 SGT65R65AL
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ファイルサイズ   646.11 Kbytes
ページ   17 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 650 V, 49 mΩ typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT65R65AL データシート (HTML) - STMicroelectronics


SGT65R65AL 製品詳細

Features
• Enhancement mode normally off transistor
• Very high switching speed
• High power management capability
• Extremely low capacitances
• Kelvin source pad for optimum gate driving
• Zero reverse recovery charge
Applications
• AC-DC converters
• AC-DC PSU for server and telecom
• LED illumination
• Uninterruptable power supplies (UPS)
Description
The SGT65R65AL is a 650 V, 25 A e-mode PowerGaN transistor combined with
a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides
extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching
operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.




同様の部品番号 - SGT65R65AL

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Silan Microelectronics ...		 SGT60N60FD1P7 SILAN-SGT60N60FD1P7 Datasheet
307Kb / 10P		 60A, 600V FIELD STOP IGBT
Rev.:1.7
SGT60N60FD1PN SILAN-SGT60N60FD1PN Datasheet
307Kb / 10P		 60A, 600V FIELD STOP IGBT
Rev.:1.7
SGT60N60FD1PS SILAN-SGT60N60FD1PS Datasheet
307Kb / 10P		 60A, 600V FIELD STOP IGBT
Rev.:1.7
SGT60N60FD1PT SILAN-SGT60N60FD1PT Datasheet
307Kb / 10P		 60A, 600V FIELD STOP IGBT
Rev.:1.7
SGT60N60FDB1P7 SILAN-SGT60N60FDB1P7 Datasheet
307Kb / 10P		 60A, 600V FIELD STOP IGBT
Rev.:1.7
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同様の説明 - SGT65R65AL

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SGT120R65AL STMICROELECTRONICS-SGT120R65AL Datasheet
649Kb / 17P		 650 V, 75 mΩ typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor
23-Mar-2023
logo
GaN Systems Inc.		 GS-065-004-1-L GAN-GS-065-004-1-L Datasheet
1Mb / 16P		 650 V E-mode GaN transistor
Rev 220712
GS-065-008-1-L GAN-GS-065-008-1-L Datasheet
1Mb / 16P		 650 V E-mode GaN transistor
Rev 220712
GS-065-011-1-L GAN-GS-065-011-1-L Datasheet
1Mb / 16P		 650 V E-mode GaN transistor
Rev 220708
GS-065-011-2-L GAN-GS-065-011-2-L Datasheet
1Mb / 16P		 650 V E-mode GaN transistor
Rev 220712
GS-065-018-2-L GAN-GS-065-018-2-L Datasheet
906Kb / 16P		 650 V E-mode GaN transistor
Rev 220921
GS-065-030-2-L GAN-GS-065-030-2-L Datasheet
1Mb / 16P		 650 V E-mode GaN transistor
Rev 220712
GS-065-060-5-B-A GAN-GS-065-060-5-B-A Datasheet
1Mb / 16P		 Automotive 650 V GaN E-mode transistor
Rev 211025
GS-065-060-5-T-A GAN-GS-065-060-5-T-A Datasheet
1Mb / 17P		 Automotive 650 V GaN E-mode transistor
Rev 220127
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STMicroelectronics について

Stmicroelectronicsは、スイスのジュネーブに拠点を置く多国籍の電子機器および半導体メーカーです。

同社は、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーション向けに、マイクロコントローラー、センサー、パワーアンプ、統合サーキットなど、幅広い製品を提供しています。

1987年に設立されたStmicroelectronicsは、100か国以上で事業を展開しており、世界最大の半導体企業の1つです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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