PDTD113ZT-Q データシート(PDF) - Nexperia B.V. All rights reserved

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部品番号	PDTD113ZT-Q

ダウンロード	PDTD113ZT-Q ダウンロード

ファイルサイズ	201.28 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	NEXPERIA [Nexperia B.V. All rights reserved]

ホームページ	https://www.nexperia.com/

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部品情報	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ

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部品番号	PDTD113ZT-Q

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メーカー	NEXPERIA [Nexperia B.V. All rights reserved]

ホームページ	https://www.nexperia.com/

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部品情報	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ

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PDTD113ZT-Q 製品詳細

1. General description
NPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device
(SMD) plastic package.
PNP complement: PDTB113ZT

2. Features and benefits
• Built-in bias resistors
• Reduces component count
• Simplifies circuit design
• Reduces pick and place costs
• 500 mA output current capability
• ± 10 % resistor ratio tolerance
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications
• Digital application in automotive and industrial segments
• Cost-saving alternative for BC817 series in digital applications
• Controlling IC inputs
• Switching loads

同様の部品番号 - PDTD113ZT-Q

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
NXP Semiconductors	PDTD113ZT	948Kb / 12P	Low VCEsat (BISS) transistors May 2006
	PDTD113ZT	71Kb / 9P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW Rev. 02-23 March 2009
	PDTD113ZT	71Kb / 9P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor R1 = 1 kW, R2 = 10 kW Rev. 02-23 March 2009
Nexperia B.V. All right...	PDTD113ZT	897Kb / 8P	50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ 1 January 2023
NXP Semiconductors	PDTD113ZT	71Kb / 9P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor R1 = 1 kW, R2 = 10 kW Rev. 02-23 March 2009

同様の説明 - PDTD113ZT-Q

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Nexperia B.V. All right...	PDTD123YT-Q	221Kb / 11P	50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ 22 July 2022
	PDTB113ET	239Kb / 11P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ Rev. 3 - 14 September 2010
	PDTB113ZT	206Kb / 8P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ 15 January 2021
	PDTB123YT-Q	222Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ 25 February 2022
	PDTB123YT	240Kb / 9P	50 V, 500 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ 1 January 2023
	PDTC114ET	240Kb / 13P	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ 1 July 2022
	PDTD113E_SER	245Kb / 11P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ Rev. 02 - 16 November 2009
	PDTD113ZT	897Kb / 8P	50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ 1 January 2023
	PDTD123Y_SER	246Kb / 11P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ Rev. 02 - 16 November 2009
	PDTD143ET-Q	247Kb / 13P	500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ 5 January 2022

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