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SCTWA70N120G2V データシート (PDF) - STMicroelectronics
SCTWA70N120G2V Datasheet PDF - STMicroelectronics
部品番号 SCTWA70N120G2V
ダウンロード  SCTWA70N120G2V ダウンロード
ファイルサイズ   229.28 Kbytes
ページ   12 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A

SCTWA70N120G2V Datasheet (PDF)

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SCTWA70N120G2V Datasheet PDF - STMicroelectronics

部品番号 SCTWA70N120G2V
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ファイルサイズ   229.28 Kbytes
ページ   12 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A

SCTWA70N120G2V データシート (HTML) - STMicroelectronics


SCTWA70N120G2V 製品詳細

Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications
• Switching mode power supply
• DC-DC converters
• Industrial motor control

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




同様の部品番号 - SCTWA70N120G2V

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Inchange Semiconductor ...		 SCTWA70N120G2V ISC-SCTWA70N120G2V Datasheet
294Kb / 2P		 SiC N-Channel MOSFET
logo
STMicroelectronics		 SCTWA70N120G2V-4 STMICROELECTRONICS-SCTWA70N120G2V-4 Datasheet
218Kb / 12P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A in an HiP247‑4 package
01-Jun-2021
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同様の説明 - SCTWA70N120G2V

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCTH70N120G2V-7 STMICROELECTRONICS-SCTH70N120G2V-7 Datasheet
378Kb / 14P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 90 A in an H²PAK?? package
26-May-2021
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT020H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT020H120G3AG Datasheet
362Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT040H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3AG Datasheet
386Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
14-Oct-2022
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
396Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
04-Apr-2023
SCTH60N120G2-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH60N120G2-7AG Datasheet
356Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
02-Aug-2021
logo
WOLFSPEED, INC.		 CBB021M12FM3 WOLFSPEED-CBB021M12FM3 Datasheet
2Mb / 12P		 1200 V, 21 mΩ, Silicon Carbide, Full-Bridge Module
Rev. 2, April 2023
CCB021M12FM3 WOLFSPEED-CCB021M12FM3 Datasheet
3Mb / 12P		 1200 V, 21 mΩ, Silicon Carbide, Six-Pack Module
Rev. 2, April 2023
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STMicroelectronics について

Stmicroelectronicsは、スイスのジュネーブに拠点を置く多国籍の電子機器および半導体メーカーです。

同社は、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーション向けに、マイクロコントローラー、センサー、パワーアンプ、統合サーキットなど、幅広い製品を提供しています。

1987年に設立されたStmicroelectronicsは、100か国以上で事業を展開しており、世界最大の半導体企業の1つです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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