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NE32484A データシート (PDF) - Renesas Technology Corp
NE32484A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部品番号 NE32484A
ダウンロード  NE32484A ダウンロード
ファイルサイズ   195.05 Kbytes
ページ   14 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE32484A Datasheet (PDF)

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NE32484A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部品番号 NE32484A
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ファイルサイズ   195.05 Kbytes
ページ   14 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE32484A データシート (HTML) - Renesas Technology Corp


NE32484A 製品詳細

DESCRIPTION
The NE32484A is a Hetero Junction FET that utilizes the
hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent
low noise and high associated gain make it suitable for DBS,
TVRO and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.6 dB TYP., Ga = 11.0 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length : Lg £ 0.25 mm
• Gate Width : Wg = 200 mm




同様の部品番号 - NE32484A

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
NEC		 NE32484A NEC-NE32484A Datasheet
63Kb / 12P		 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE32484A NEC-NE32484A Datasheet
55Kb / 5P		 ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE32484A-SL NEC-NE32484A-SL Datasheet
63Kb / 12P		 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE32484A-T1 NEC-NE32484A-T1 Datasheet
63Kb / 12P		 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE32484A-T1 NEC-NE32484A-T1 Datasheet
55Kb / 5P		 ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
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同様の説明 - NE32484A

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
California Eastern Labs		 NE3512S02 CEL-NE3512S02 Datasheet
270Kb / 8P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3514S02 CEL-NE3514S02_13 Datasheet
285Kb / 8P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3515S02-A CEL-NE3515S02-A Datasheet
415Kb / 9P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
logo
Renesas Technology Corp		 NE3210S01 RENESAS-NE3210S01 Datasheet
197Kb / 18P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1999
NE32500 RENESAS-NE32500 Datasheet
199Kb / 10P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1996
NE32900 RENESAS-NE32900 Datasheet
181Kb / 10P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1997
NE32984D RENESAS-NE32984D Datasheet
207Kb / 14P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1995
NE34018 RENESAS-NE34018 Datasheet
250Kb / 18P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
2000
NE38018 RENESAS-NE38018 Datasheet
236Kb / 13P		 Hetero Junction Field Effect transistor
2003
NE21283A RENESAS-NE21283A Datasheet
718Kb / 12P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1990
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Renesas Technology Corp について

Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット（IoT）、人工知能（AI）、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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