GTVA262701FA-V2-R2 データシート(PDF) - WOLFSPEED, INC.

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GTVA262701FA-V2-R2 データシート (PDF) - WOLFSPEED, INC.

GTVA262701FA-V2-R2 Datasheet PDF - WOLFSPEED, INC.


部品番号	GTVA262701FA-V2-R2

ダウンロード	GTVA262701FA-V2-R2 ダウンロード

ファイルサイズ	506.76 Kbytes

ページ	8 Pages

メーカー	WOLFSPEED [WOLFSPEED, INC.]

ホームページ	https://www.wolfspeed.com/

Logo

部品情報	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz

GTVA262701FA-V2-R2 Datasheet (PDF)

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メーカー	WOLFSPEED [WOLFSPEED, INC.]

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部品情報	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz

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GTVA262701FA-V2-R2 製品詳細

Description
The GTVA262701FA is a 270-watt GaN on SiC high electron mobility
transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier
applications. It features input matching, high efficiency, and a
thermally-enhanced surface-mount package with earless flange.
Features
• GaN on SiC HEMT technology
• Input matched
• Typical pulsed CW performance: 10 µs pulse
width, 10% duty cycle, 2690 MHz, 48 V
- Output power at P3dB = 270 W
- Efficiency = 66%
- Gain = 18.1 dB
• Human Body Model Class 1B (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
• Capable of handling 10:1 VSWR @48 V, 60 W
(WCDMA) output power
• Pb-free and RoHS compliant

同様の部品番号 - GTVA262701FA-V2-R2

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Cree, Inc	GTVA262701FA-V2-R2	489Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz

同様の説明 - GTVA262701FA-V2-R2

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Cree, Inc	GTVA261701FA	591Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 ??2690 MHz
	GTVA263202FC	458Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 340 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz
	GTVA261802FC	495Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz
	GTVA262701FA	489Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz
	GTVA262711FA	464Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 300 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz
WOLFSPEED, INC.	GTVA261701FA-V1	750Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz Rev. 05.1, 2022-1-27
	GTVA262701FA_V2	506Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz Rev. 04.3, 2022-1-27
	GTVA261802FC	536Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz Rev. 02.1, 2022-1-27
	GTVA262711FA	594Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 300 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz Rev. 04.4, 2022-1-27
	GTVA263202FC	632Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 340 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz Rev. 04.1, 2022-1-27

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