DMN14M8UFDF データシート(PDF) - Diodes Incorporated

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DMN14M8UFDF データシート (PDF) - Diodes Incorporated

DMN14M8UFDF Datasheet PDF - Diodes Incorporated


部品番号	DMN14M8UFDF

ダウンロード	DMN14M8UFDF ダウンロード

ファイルサイズ	737.09 Kbytes

ページ	7 Pages

メーカー	DIODES [Diodes Incorporated]

ホームページ	http://www.diodes.com

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部品情報	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN14M8UFDF Datasheet (PDF)

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DMN14M8UFDF Datasheet PDF - Diodes Incorporated


部品番号	DMN14M8UFDF

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ファイルサイズ	737.09 Kbytes

ページ	7 Pages

メーカー	DIODES [Diodes Incorporated]

ホームページ	http://www.diodes.com

Logo

部品情報	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN14M8UFDF データシート (HTML) - Diodes Incorporated

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DMN14M8UFDF 製品詳細

Features
 0.6mm Profile – Ideal for Low-Profile Applications
 PCB Footprint of 4mm2
 Low Gate Threshold Voltage
 Low On-Resistance
 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
 Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
 For automotive applications requiring specific change
control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP
capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),
please contact us or your local Diodes representative.

Applications
 General Purpose Interfacing Switch
 Power Management Functions

同様の部品番号 - DMN14M8UFDF

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Diodes Incorporated	DMN100	63Kb / 3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30049 Rev. 5 - 2
	DMN100	86Kb / 3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30049 Rev. 6 - 2
	DMN100	154Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30049 Rev. 7 - 2
ZP Semiconductor	DMN100	159Kb / 2P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Diodes Incorporated	DMN100-7	63Kb / 3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30049 Rev. 5 - 2

同様の説明 - DMN14M8UFDF

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Diodes Incorporated	DMN1019UFDE	223Kb / 7P	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 4
	DMN1260UFA	372Kb / 6P	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 3
	DMN1019UVT	365Kb / 7P	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 2
	DMN1019USN	313Kb / 6P	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 2
	DMN1019UFDE	287Kb / 7P	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 5
	DMN1019USN	313Kb / 6P	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 2
	DMN1019UVT	365Kb / 7P	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 2
	DMN1008UFDF	573Kb / 7P	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 2
Leshan Radio Company	LDN8102DT1AG	700Kb / 3P	12V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Diodes Incorporated	DMN1008UFDFQ	548Kb / 7P	12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET July 2020 Rev. 2 - 2

Diodes Incorporated について

Diodes Incorporatedは、幅広いディスクリート、アナログ、および混合シグナル半導体と完全なパワーソリューションを設計、製造、および供給する公開企業です。
同社は1964年に設立され、テキサス州プラノに本社を置いています。
北米、ヨーロッパ、アジアの販売、サポート、デザインセンターで世界的に運営されています。
Diodes Incorporatedは、自動車、通信、コンピューティング、消費者、産業など、さまざまな業界にサービスを提供しています。
同社は、ダイオード、整流器、トランジスタ、電圧レギュレーター、MOSFET、LEDドライバー、保護装置など、幅広い製品を提供しています。
同社の使命は、顧客に高品質で高解放性製品と優れた顧客サービスを提供することです。
イノベーションと顧客満足度に焦点を当てたDiodes Incorporatedは、電力管理ソリューションの大手プロバイダーになることに取り組んでいます。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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