IXSH16N60U1 データシート(PDF) - IXYS Corporation

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IXSH16N60U1 データシート (PDF) - IXYS Corporation

IXSH16N60U1 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXSH16N60U1

ダウンロード	IXSH16N60U1 ダウンロード

ファイルサイズ	40.79 Kbytes

ページ	2 Pages

メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

Logo

部品情報	Low V CE(sat) IGBT with Diode

IXSH16N60U1 Datasheet (PDF)

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IXSH16N60U1 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXSH16N60U1

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ページ	2 Pages

メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	Low V CE(sat) IGBT with Diode

IXSH16N60U1 データシート (HTML) - IXYS Corporation

IXSH16N60U1 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXSH16N60U1 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXSH16N60U1 製品詳細

Features
Latest generation HDMOSTM process
International standard package
Guaranteed Short Circuit SOA
capability
Low VCE(sat)
- for low on-state conduction losses
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Fast fall time for switching speeds
up to 20 kHz

Applications
AC motor speed control
Uninterruptible power supplies (UPS)
Welding

同様の部品番号 - IXSH16N60U1

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXSH10N120AU1	37Kb / 2P	IGBT with Diode
	IXSH10N60	217Kb / 4P	High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
	IXSH10N60A	217Kb / 4P	High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
	IXSH10N60B2D1	517Kb / 6P	High Speed IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability
	IXSH15N120A	36Kb / 2P	IGBT

同様の説明 - IXSH16N60U1

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXGH28N60BD1	57Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT with Diode
	IXGH17N100U1	113Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
	IXGH15N120BD1	56Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
	IXGH12N100	151Kb / 5P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
	IXGH10N100U1	121Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
	IXGH31N60U1	46Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
	IXGH38N60U1	46Kb / 2P	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
	IXSA16N60	48Kb / 2P	Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
	IXSH20N60U1	112Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
	IXGR60N60U1	118Kb / 5P	LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)

IXYS Corporation について

Ixys Corporationは、電力半導体および統合サーキット（IC）の設計、製造、販売を専門とするテクノロジー企業です。同社は1983年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置いています。 Ixysには世界的な存在感があり、世界中の60か国以上の運営と顧客がいます。

Ixysは、電力管理および制御アプリケーションのために、パワーMOSFET、パワーバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ダイオード、ICSなど、幅広い製品とソリューションを提供します。同社の製品は、再生可能エネルギー、産業、自動車、家電など、さまざまなアプリケーションで使用されています。

Ixysは、電力半導体テクノロジーの専門知識と、顧客に高性能で費用対効果の高いソリューションを提供する能力で知られています。同社はイノベーションと研究開発に取り組んでおり、パワー半導体市場向けの新しいテクノロジーとソリューションの開発に積極的に関与しています。 Ixysは、Power Semiconductor Marketのリーダーであり、顧客に高品質の製品とサービスを提供し続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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