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SCT027H65G3AG データシート (PDF) - STMicroelectronics
SCT027H65G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
部品番号 SCT027H65G3AG
ダウンロード  SCT027H65G3AG ダウンロード
ファイルサイズ   374.48 Kbytes
ページ   14 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an H²PAK-7 package

SCT027H65G3AG Datasheet (PDF)

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SCT027H65G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

部品番号 SCT027H65G3AG
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ファイルサイズ   374.48 Kbytes
ページ   14 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an H²PAK-7 package

SCT027H65G3AG データシート (HTML) - STMicroelectronics


SCT027H65G3AG 製品詳細

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Source sensing pin for increased efficiency

Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with
low capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




同様の部品番号 - SCT027H65G3AG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Beijing Yaohuadechang E...		 SCT027H YHDC-SCT027H Datasheet
5Mb / 1P		 0.333V Split core current transformer
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同様の説明 - SCT027H65G3AG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 SCTH35N65G2V-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH35N65G2V-7AG Datasheet
620Kb / 15P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
24-Jan-2020
SCT011H75G3AG STMICROELECTRONICS-SCT011H75G3AG Datasheet
395Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package
08-Mar-2022
SCT012H90G3AG STMICROELECTRONICS-SCT012H90G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT018H65G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
07-Oct-2022
SCT020H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT020H120G3AG Datasheet
362Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT040H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3AG Datasheet
386Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
14-Oct-2022
SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
396Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
04-Apr-2023
SCTH60N120G2-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH60N120G2-7AG Datasheet
356Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
02-Aug-2021
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STMicroelectronics について

Stmicroelectronicsは、スイスのジュネーブに拠点を置く多国籍の電子機器および半導体メーカーです。

同社は、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーション向けに、マイクロコントローラー、センサー、パワーアンプ、統合サーキットなど、幅広い製品を提供しています。

1987年に設立されたStmicroelectronicsは、100か国以上で事業を展開しており、世界最大の半導体企業の1つです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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