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STBV10500BY4 データシート (PDF) - Innogration Technologies, Inc.
STBV10500BY4 Datasheet PDF - Innogration Technologies, Inc.
部品番号 STBV10500BY4
ダウンロード  STBV10500BY4 ダウンロード
ファイルサイズ   1665.35 Kbytes
ページ   6 Pages
メーカー  INNOGRATION [Innogration Technologies, Inc.]
ホームページ  http://www.innogration.net/index.htm
Logo INNOGRATION - Innogration Technologies, Inc.
部品情報 Gallium Nitride 50V, 500W,0.6-1GHz RF Power Transistor

STBV10500BY4 Datasheet (PDF)

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STBV10500BY4 Datasheet PDF - Innogration Technologies, Inc.

部品番号 STBV10500BY4
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ページ   6 Pages
メーカー  INNOGRATION [Innogration Technologies, Inc.]
ホームページ  http://www.innogration.net/index.htm
Logo INNOGRATION - Innogration Technologies, Inc.
部品情報 Gallium Nitride 50V, 500W,0.6-1GHz RF Power Transistor

STBV10500BY4 データシート (HTML) - Innogration Technologies, Inc.


STBV10500BY4 製品詳細

Description
The STBV10500BY4 is a 500watt Doherty pair capable, GaN HEMT, ideal for for 4G/5G cellular
applications from 0.6 to 1GHz..
It can be configured as asymmetrical Doherty delivering 80W average power, according to normal
8dB back off.
There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications
 Asymmetrical Doherty amplifier within 0.6-1GHz
 UHF TV




同様の部品番号 - STBV10500BY4

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Innogration Technologie...		 STBV10350BY4 INNOGRATION-STBV10350BY4 Datasheet
1Mb / 6P		 Gallium Nitride 50V, 350W,0.6-1GHz RF Power Transistor
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メーカー部品番号データシート部品情報
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