STBV20601BY4V データシート(PDF) - Innogration Technologies, Inc.

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STBV20601BY4V データシート (PDF) - Innogration Technologies, Inc.

STBV20601BY4V Datasheet PDF - Innogration Technologies, Inc.


部品番号	STBV20601BY4V

ダウンロード	STBV20601BY4V ダウンロード

ファイルサイズ	1578.19 Kbytes

ページ	6 Pages

メーカー	INNOGRATION [Innogration Technologies, Inc.]

ホームページ	http://www.innogration.net/index.htm

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部品情報	GaN HEMT 50V, 630W,1.8-1.9GHz RF Power Transistor

STBV20601BY4V Datasheet (PDF)

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部品番号	STBV20601BY4V

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ページ	6 Pages

メーカー	INNOGRATION [Innogration Technologies, Inc.]

ホームページ	http://www.innogration.net/index.htm

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部品情報	GaN HEMT 50V, 630W,1.8-1.9GHz RF Power Transistor

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STBV20601BY4V 製品詳細

Description
The STBV20601BY4V is a dual path 630 watt , Internally matched GaN HEMT, ideal for applications
from 1.8 to 1.9GHz especially for LTE/5G
There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications
 Asymmetrical Doherty amplifier within 1.8-1.9GHz
 Sub-2GHz power amplifier
 CW or pulsed Amplifier

同様の部品番号 - STBV20601BY4V

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Innogration Technologie...	STBV20500BY4	1Mb / 6P	GaN HEMT 50V, 500W,1.8-2.0GHz RF Power Transistor

同様の説明 - STBV20601BY4V

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
M/A-COM Technology Solu...	MAGX-001220-100L00	833Kb / 6P	GaN HEMT Power Transistor
M/A-COM Technology Solu...	MAGX-001220-100L00	833Kb / 6P	GaN HEMT Power Transistor
Ampleon Netherlands B.V...	CLF1G0035-100	1Mb / 20P	Broadband RF power GaN HEMT Rev. 6 ??8 January 2016
	CLF1G0035-100P	1Mb / 16P	Broadband RF power GaN HEMT Rev. 4 ??24 February 2016
	CLF1G0035-200P	1Mb / 19P	Broadband RF power GaN HEMT Rev. 1 ??22 April 2016
	CLF1G0035-50	1Mb / 19P	Broadband RF power GaN HEMT Rev. 6 ??8 January 2016
	CLF1G0060-10	1Mb / 18P	Broadband RF power GaN HEMT Rev. 5 ??18 February 2016
	CLF1G0060-30	1Mb / 19P	Broadband RF power GaN HEMT Rev. 7 ??5 February 2018
	CLF3H0035-100	1Mb / 12P	Broadband RF power GaN HEMT Rev. 1 ??23 December 2021
	CLF3H0060-30	2Mb / 29P	Broadband RF power GaN HEMT Rev. 1 ??20 December 2021

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