IXFR24N100 データシート(PDF) - IXYS Corporation

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IXFR24N100 データシート (PDF) - IXYS Corporation

IXFR24N100 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXFR24N100

ダウンロード	IXFR24N100 ダウンロード

ファイルサイズ	36.22 Kbytes

ページ	2 Pages

メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)

IXFR24N100 Datasheet (PDF)

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IXFR24N100 Datasheet PDF - IXYS Corporation


部品番号	IXFR24N100

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メーカー	IXYS [IXYS Corporation]

ホームページ	http://www.ixys.com

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部品情報	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)

IXFR24N100 データシート (HTML) - IXYS Corporation

IXFR24N100 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXFR24N100 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXFR24N100 製品詳細

HiPerFET™ Power MOSFET ISOPLUS247™ (Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
    - High power dissipation
    - Isolated mounting surface
    - 2500V electrical isolation
• Low drain to tab capacitance(<30pF)
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche rated
• Fast intrinsic Rectifier

Applications
• DC-DC converters
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers
• AC motor drives

Advantages
• Easy assembly
• Space savings
• High power density

同様の部品番号 - IXFR24N100

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Inchange Semiconductor ...	IXFR24N100	330Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor 2023.10.8
IXYS Corporation	IXFR24N100Q3	148Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier
IXYS Corporation	IXFR24N100	118Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247

同様の説明 - IXFR24N100

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
IXYS Corporation	IXGR24N60C	56Kb / 2P	HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR38N80Q2	568Kb / 5P	Electrically Isolated Back Surface
	IXFR26N50	34Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR26N50Q	79Kb / 2P	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR21N100Q	38Kb / 2P	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFL34N100	117Kb / 2P	HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Backside)
	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
	IXGC16N60B2	92Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	DSS20-01AC	121Kb / 4P	Electrically Isolated Back Surface
	DSEE8-06CC	65Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface

IXYS Corporation について

Ixys Corporationは、電力半導体および統合サーキット（IC）の設計、製造、販売を専門とするテクノロジー企業です。同社は1983年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置いています。 Ixysには世界的な存在感があり、世界中の60か国以上の運営と顧客がいます。

Ixysは、電力管理および制御アプリケーションのために、パワーMOSFET、パワーバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ダイオード、ICSなど、幅広い製品とソリューションを提供します。同社の製品は、再生可能エネルギー、産業、自動車、家電など、さまざまなアプリケーションで使用されています。

Ixysは、電力半導体テクノロジーの専門知識と、顧客に高性能で費用対効果の高いソリューションを提供する能力で知られています。同社はイノベーションと研究開発に取り組んでおり、パワー半導体市場向けの新しいテクノロジーとソリューションの開発に積極的に関与しています。 Ixysは、Power Semiconductor Marketのリーダーであり、顧客に高品質の製品とサービスを提供し続けています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。

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