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STH60N099DM9-2AG データシート (PDF) - STMicroelectronics
STH60N099DM9-2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
部品番号 STH60N099DM9-2AG
ダウンロード  STH60N099DM9-2AG ダウンロード
ファイルサイズ   737.38 Kbytes
ページ   14 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mΩ typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET in an H²PAK-2 package

STH60N099DM9-2AG Datasheet (PDF)

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STH60N099DM9-2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

部品番号 STH60N099DM9-2AG
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ページ   14 Pages
メーカー  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
ホームページ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
部品情報 Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mΩ typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET in an H²PAK-2 package

STH60N099DM9-2AG データシート (HTML) - STMicroelectronics


STH60N099DM9-2AG 製品詳細

Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Worldwide best RDS(on) per area among silicon-based fast recovery devices
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely dv/dt ruggednes
• Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

Applications
• High efficiency switching applications

Description
This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area coupled with a fast-recovery diode. The silicon-based DM9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The fast-recovery diode featuring very low recovery charge (Qrr), time (trr) and RDS(on) makes this fast-switching super-junction Power MOSFET tailored for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.




同様の部品番号 - STH60N099DM9-2AG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 STH60N10 STMICROELECTRONICS-STH60N10 Datasheet
246Kb / 11P		 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
May-1993
STH60N10FI STMICROELECTRONICS-STH60N10FI Datasheet
246Kb / 11P		 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
May-1993
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同様の説明 - STH60N099DM9-2AG

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
STMicroelectronics		 STH13N120K5-2AG STMICROELECTRONICS-STH13N120K5-2AG Datasheet
584Kb / 15P		 Automotive-grade N-channel 1200 V, 0.62 typ., 12 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H²PAK‑2 package
16-Jun-2020
STP60N043DM9 STMICROELECTRONICS-STP60N043DM9 Datasheet
227Kb / 12P		 N-channel 600 V, 38 mΩ typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-220 package
06-Sep-2022
STB18N60M6 STMICROELECTRONICS-STB18N60M6 Datasheet
631Kb / 16P		 N-channel 600 V, 230 mΩ typ., 13 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a D²PAK package
19-Apr-2019
STH10N80K5-2AG STMICROELECTRONICS-STH10N80K5-2AG Datasheet
424Kb / 14P		 Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ω typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H²PAK-2 package
13-May-2020
STH12N120K5-2AG STMICROELECTRONICS-STH12N120K5-2AG Datasheet
405Kb / 15P		 Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ω typ., 7 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H²PAK‑2 package
28-Oct-2022
STH36N60DM6-7AG STMICROELECTRONICS-STH36N60DM6-7AG Datasheet
469Kb / 14P		 Automotive-grade N-channel 600 V, 0.084 Ω typ., 29 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in an H²PAK-7 package
26-Sep-2018
SCT012H90G3AG STMICROELECTRONICS-SCT012H90G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT018H65G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
07-Oct-2022
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
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STMicroelectronics について

Stmicroelectronicsは、スイスのジュネーブに拠点を置く多国籍の電子機器および半導体メーカーです。

同社は、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーション向けに、マイクロコントローラー、センサー、パワーアンプ、統合サーキットなど、幅広い製品を提供しています。

1987年に設立されたStmicroelectronicsは、100か国以上で事業を展開しており、世界最大の半導体企業の1つです。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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