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RV1S9991A データシート (PDF) - Renesas Technology Corp

RV1S9991A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
部品番号 RV1S9991A
ダウンロード  RV1S9991A ダウンロード
ファイルサイズ   560.54 Kbytes
ページ   20 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 4 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMTI IGBT, GaN FET, SiC FET and Si power MOSFET gate drive 15 mm LONG CREEPAGE DISTANCE (LSDIP8) PHOTOCOUPLER

RV1S9991A Datasheet (PDF)

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RV1S9991A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

部品番号 RV1S9991A
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ページ   20 Pages
メーカー  RENESAS [Renesas Technology Corp]
ホームページ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
部品情報 4 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMTI IGBT, GaN FET, SiC FET and Si power MOSFET gate drive 15 mm LONG CREEPAGE DISTANCE (LSDIP8) PHOTOCOUPLER

RV1S9991A データシート (HTML) - Renesas Technology Corp


RV1S9991A 製品詳細

• Product portfolio with two different UVLO (Under Voltage Lock Out) characteristics
RV1S9991A: VUVLO = 9.6 V MAX.
RV1S9992A: VUVLO = 13.4 V MAX.
• Long creepage distance (15 mm MIN., LSDIP8)
• Peak output current (4 A MAX.)
• High speed switching (tPLH, tPHL = 95 ns MAX.)
• Pulse width distortion (|tPLH - tPHL| = 35 ns MAX.)
• High common mode transient immunity (|CMH|, |CML| = 100 kV/μs MIN.)
• Operating ambient temperature (125 °C MAX.)
• High isolation voltage (BV = 7 500 Vr.m.s.)
• Embossed tape product:
RV1S9991ACCSP-10Yx#KC0: 1 000 pcs/reel
RV1S9992ACCSP-10Yx#KC0: 1 000 pcs/reel




同様の部品番号 - RV1S9991A

メーカー部品番号データシート部品情報
logo
Renesas Technology Corp
RV1S9993A RENESAS-RV1S9993A Datasheet
515Kb / 20P
10 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMTI IGBT, GaN FET, SiC FET and Si power MOSFET gate drive 15 mm LONG CREEPAGE DISTANCE (LSDIP8) PHOTOCOUPLER
Dec. 12, 2025
RV1S9993ACCSP-10YC RENESAS-RV1S9993ACCSP-10YC Datasheet
515Kb / 20P
10 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMTI IGBT, GaN FET, SiC FET and Si power MOSFET gate drive 15 mm LONG CREEPAGE DISTANCE (LSDIP8) PHOTOCOUPLER
Dec. 12, 2025
RV1S9993ACCSP-10YC#KC0 RENESAS-RV1S9993ACCSP-10YC#KC0 Datasheet
515Kb / 20P
10 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMTI IGBT, GaN FET, SiC FET and Si power MOSFET gate drive 15 mm LONG CREEPAGE DISTANCE (LSDIP8) PHOTOCOUPLER
Dec. 12, 2025
RV1S9993ACCSP-10YC#SC0 RENESAS-RV1S9993ACCSP-10YC#SC0 Datasheet
515Kb / 20P
10 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMTI IGBT, GaN FET, SiC FET and Si power MOSFET gate drive 15 mm LONG CREEPAGE DISTANCE (LSDIP8) PHOTOCOUPLER
Dec. 12, 2025
RV1S9993ACCSP-10YV RENESAS-RV1S9993ACCSP-10YV Datasheet
515Kb / 20P
10 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMTI IGBT, GaN FET, SiC FET and Si power MOSFET gate drive 15 mm LONG CREEPAGE DISTANCE (LSDIP8) PHOTOCOUPLER
Dec. 12, 2025
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2.5 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMR, IGBT GATE DRIVE, 8-PIN LSDIP PHOTOCOUPLER FOR CREEPAGE DISTANCE OF 14.5 mm
PS9402 CEL-PS9402 Datasheet
4Mb / 23P
2.5 A OUTPUT CURRENT, HIGH CMR, IGBT, POWER MOS FET GATE DRIVE, 16-PIN SSOP PHOTOCOUPLER
logo
Renesas Technology Corp
PS9402 RENESAS-PS9402_15 Datasheet
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ACPL-P347 BOARDCOM-ACPL-P347 Datasheet
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1.0-Amp Output Current SiC/GaN MOSFET and IGBT Gate Drive Optocoupler in Stretched SO6
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Renesas Technology Corp について


Renesas Technology Corpは、自動車、産業、消費者市場のさまざまなアプリケーションに幅広いマイクロコントローラー、システムオンチップ、アナログおよび電源デバイスを提供する日本の半導体会社です。
同社は2010年にNEC Electronics CorporationとRenesas Technology Corporationの合併を通じて設立されました。
Renesasは、世界最大のマイクロコントローラーサプライヤーの1つであり、モノのインターネット(IoT)、人工知能(AI)、自動車エレクトロニクスなどの分野での高度な技術の開発に関する専門知識で知られています。
同社は20か国以上で事業を展開しており、その製品は幅広いアプリケーションで使用されています。

*この情報はあくまでも一般的な情報であり、上記の情報によって生じたいかなる損失や損害についても責任を負うものではありません。




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